Doherty MMIC 2 giai đoạn

(Total 37 Products)

B10G2527N10DLZ Mosfet RF MMIC

Nhận giá mới nhất

Thương hiệu:AMPLEON
Đặt hàng tối thiểu:1
Model No:B10G2527N10DL B10G2527N10DLZ

Doherty MMIC 2 giai đoạn B10G2527N10DL là bộ khuếch đại Doherty MMIC tích hợp đầy đủ 2 giai đoạn dựa trên công nghệ LDMOS hiện đại của Ampleon, được tối ưu hóa cho các trạm gốc băng tần trung 5G NR 2500–2700 MHz (2,5–2,7 GHz), hệ thống liên lạc đa...

Liên hệ với bây giờ
BLM9D2527-09AMZ Bóng bán dẫn LDMOS công suất

Nhận giá mới nhất

Thương hiệu:AMPLEON
Đặt hàng tối thiểu:1
Model No:BLM9D2527-09AM BLM9D2527-09AMZ

Doherty MMIC 2 giai đoạn Model: BLM9D2527-09AMZ (Mẫu tiêu chuẩn: BLM9D2527-09AM, Z biểu thị Bao bì băng & cuộn) Nhà sản xuất: Ampeon Loại sản phẩm: Bộ khuếch đại công suất Doherty MMIC RF 2 tầng thế hệ thứ 9 28V LDMOS tích hợp đầy đủ (Được tối...

Liên hệ với bây giờ
Bộ khuếch đại RF BLM9D2324-08AMZ AMPLEON

Nhận giá mới nhất

Thương hiệu:AMPLEON
Đặt hàng tối thiểu:1
Model No:BLM9D2324-08AM BLM9D2324-08AMZ

Doherty MMIC 2 giai đoạn Model: BLM9D2324-08AMZ (Mẫu tiêu chuẩn: BLM9D2324-08AM, Z biểu thị Bao bì băng & cuộn) Nhà sản xuất: Ampeon Loại sản phẩm: Bộ khuếch đại công suất Doherty MMIC RF 2 giai đoạn 28V LDMOS thế hệ thứ 9 (Được tối ưu hóa cho...

Liên hệ với bây giờ
Bộ khuếch đại công suất RF B10G3336N16DL

Nhận giá mới nhất

Thương hiệu:AMPLEON
Đặt hàng tối thiểu:1
Model No:B10G3336N16DL

B10G3336N16DL là MMIC Doherty 2 giai đoạn Model: B10G3336N16DL Nhà sản xuất: Ampeon Loại sản phẩm: Bộ khuếch đại công suất Doherty MMIC RF tích hợp đầy đủ 3 tầng thế hệ thứ 10 28V LDMOS, được tối ưu hóa cho băng tần 3,3–3,6 GHz (bao phủ các dải tần...

Liên hệ với bây giờ
Bộ khuếch đại công suất RF BLM9D3842-16AM BLM9D3842-16AMZ

Nhận giá mới nhất

Thương hiệu:AMPLEON
Đặt hàng tối thiểu:1
Model No:BLM9D3842-16AM BLM9D3842-16AMZ

BLM9D3842-16AM LDMOS Doherty MMIC tích hợp 3 giai đoạn Mô hình: BLM9D3842-16AMZ Nhà sản xuất: Ampeon Loại sản phẩm: Bộ khuếch đại công suất Doherty MMIC RF tích hợp đầy đủ 3 tầng thế hệ thứ 9 28V LDMOS, được tối ưu hóa cho băng tần 3,8–4,2 GHz (bao...

Liên hệ với bây giờ
Bộ khuếch đại công suất RF BLM9D3740-16AM BLM9D3740-16AMZ

Nhận giá mới nhất

Thương hiệu:AMPLEON
Đặt hàng tối thiểu:1
Model No:BLM9D3740-16AM BLM9D3740-16AMZ

BLM9D3438-16AM LDMOS Doherty MMIC tích hợp 3 giai đoạn Mô hình: BLM9D3740-16AM Nhà sản xuất: Ampeon Loại sản phẩm: Bộ khuếch đại công suất Doherty MMIC RF tích hợp đầy đủ 3 tầng thế hệ thứ 9 28V LDMOS, được tối ưu hóa cho băng tần 3,7–4,0 GHz (bao...

Liên hệ với bây giờ
BLP2425M10S250PY Bóng bán dẫn LDMOS công suất

Nhận giá mới nhất

Thương hiệu:AMPLEON
Đặt hàng tối thiểu:1
Model No:BLP2425M10S250P BLP2425M10S250PY

BLP2425M10S250P là bóng bán dẫn công suất RF dựa trên LDMOS 250 W do Ampleon sản xuất, được thiết kế cho các ứng dụng sóng liên tục (CW) công suất cao trong dải tần số 2400–2500 MHz (băng tần ISM 2,45 GHz). Các tính năng chính Công suất cao: Công...

Liên hệ với bây giờ
Bộ khuếch đại công suất RF B11G3742N81DYZ B11G3742N81DX B11G3742N81D

Nhận giá mới nhất

Thương hiệu:AMPLEON
Đặt hàng tối thiểu:1
Model No:B11G3742N81DYZ B11G3742N81DX B11G3742N81D

Doherty MMIC 2 giai đoạn Model: B11G3742N81D Nhà sản xuất: Ampeon Loại sản phẩm: Bộ khuếch đại công suất Doherty MMIC RF 3 tầng 28V LDMOS thế hệ thứ 11 được tích hợp đầy đủ, được tối ưu hóa cho băng tần 3,7–4,2GHz (bao phủ băng tần cao 5G NR n77),...

Liên hệ với bây giờ
Bộ khuếch đại công suất RF BLM9D3438-16AM BLM9D3438-16AMZ

Nhận giá mới nhất

Thương hiệu:AMPLEON
Đặt hàng tối thiểu:1
Model No:BLM9D3438-16AM BLM9D3438-16AMZ

BLM9D3438-16AM LDMOS Doherty MMIC tích hợp 3 giai đoạn Mô hình: BLM9D3438-16AMZ Nhà sản xuất: Ampeon Loại sản phẩm: Bộ khuếch đại công suất Doherty MMIC RF tích hợp đầy đủ 3 tầng thế hệ thứ 9, được tối ưu hóa cho băng tần 3,4–3,8 GHz (bao phủ băng...

Liên hệ với bây giờ
B10G3741N55DZ LDMOS RF MOSFET

Nhận giá mới nhất

Thương hiệu:ampleon
Đặt hàng tối thiểu:1
Model No:B10G3741N55D B10G3741N55DZ

B10G3741N55D LDMOS Doherty MMIC tích hợp 3 giai đoạn Model: B10G3741N55D Nhà sản xuất: Ampeon Loại sản phẩm: Bộ khuếch đại công suất Doherty MMIC RF không đối xứng 3 tầng thế hệ thứ 10, được tối ưu hóa cho băng tần 3,7–4,1GHz (bao phủ băng tần lõi...

Liên hệ với bây giờ
BLM9D3538-12AMZ LDMOS Doherty MMIC tích hợp 3 giai đoạn

Nhận giá mới nhất

Thương hiệu:AMPLEON
Đặt hàng tối thiểu:1
Model No:BLM9D3538-12AMZ BLM9D3538-12AM

Model: BLM9D3538-12AMz (BLM9D3538-12AMZ) Nhà sản xuất: Ampeon Loại sản phẩm: Bộ khuếch đại công suất Doherty MMIC RF bất đối xứng 3 tầng GEN9 LDMOS, được tối ưu hóa cho băng tần 3,4–3,8 GHz (bao phủ băng tần lõi 5G NR n78 và băng tần chính 4G...

Liên hệ với bây giờ
BLM2425M9S20Z LDMOS MMIC công suất 2 tầng

Nhận giá mới nhất

Thương hiệu:ampleon
Đặt hàng tối thiểu:1
Model No:BLM2425M9S20Z

Tối ưu hóa băng tần ISM: Được thiết kế đặc biệt cho băng tần ISM 2,45GHz, thích ứng hoàn hảo với các ứng dụng nấu ăn công nghiệp, khoa học, y tế và vi sóng, phù hợp bên trong với 50Ω, đơn giản hóa thiết kế hệ thống. Kiến trúc 2 tầng có mức tăng cao:...

Liên hệ với bây giờ
BLM10D2327-60ABG Nguồn RF MMIC

Nhận giá mới nhất

Thương hiệu:AMPLEON
Đặt hàng tối thiểu:1
Model No:BLM10D2327-60ABG BLM10D2327-60ABGYZ

BLM10D2327-60ABG LDMOS Doherty MMIC tích hợp 2 giai đoạn Mô hình: BLM10D2327-60ABG Nhà sản xuất: Ampeon Loại sản phẩm: Bộ khuếch đại công suất Doherty MMIC RF 2 tầng thế hệ thứ 10 được tích hợp đầy đủ 28V LDMOS, được tối ưu hóa cho các ứng dụng trạm...

Liên hệ với bây giờ
Transitor RF MOSFET BLM10D3438-35ABZ

Nhận giá mới nhất

Thương hiệu:ampleon
Đặt hàng tối thiểu:1
Model No:BLM10D3438-35ABZ BLM10D3438-35AB

Mô hình: BLM10D3438-35ABZ Nhà sản xuất: Ampeon Loại sản phẩm: Bộ khuếch đại công suất RF Doherty MMIC RF không đối xứng 3 giai đoạn được tích hợp đầy đủ LDMOS, được tối ưu hóa cho băng tần 3,4–3,8GHz (bao phủ băng tần lõi 5G NR n78 và băng tần chính...

Liên hệ với bây giờ
B10G4750N12DL B10G4750N12DLZ RF Mosfet LDMOS

Nhận giá mới nhất

Thương hiệu:AMPLEON
Đặt hàng tối thiểu:1
Model No:B10G4750N12DL B10G4750N12DLZ

Doherty MMIC 2 giai đoạn Model: B10G4750N12DL Nhà sản xuất: Ampeon Loại sản phẩm: Bộ khuếch đại công suất Doherty MMIC RF tích hợp hoàn toàn 28V LDMOS thế hệ thứ 10, được tối ưu hóa cho băng tần 4,7–5,0GHz (bao phủ băng tần cao 5G NR n79), các ứng...

Liên hệ với bây giờ
Bộ khuếch đại công suất RF BLM9D3336-12AM BLM9D3336-12AMZ

Nhận giá mới nhất

Thương hiệu:AMPLEON
Đặt hàng tối thiểu:1
Model No:BLM9D3336-12AM BLM9D3336-12AMZ

Mô hình: BLM9D3336-12AMZ Nhà sản xuất: Ampeon Loại sản phẩm: Bộ khuếch đại công suất RF Doherty MMIC RF không đối xứng 3 tầng tích hợp đầy đủ LDMOS, được tối ưu hóa cho băng tần 3,3–3,65GHz (bao phủ băng tần tần số thấp 5G NR n78 và băng tần 4G...

Liên hệ với bây giờ
Bộ khuếch đại công suất RF BLM9D2327-26BZ

Nhận giá mới nhất

Thương hiệu:AMPLEON
Đặt hàng tối thiểu:1
Model No:BLM9D2327-26B BLM9D2327-26BZ

BLM9D2327-26B LDMOS Doherty MMIC tích hợp 2 giai đoạn Mô hình: BLM9D2327-26BZ Nhà sản xuất: Ampeon Loại sản phẩm: Bộ khuếch đại công suất Doherty MMIC RF bất đối xứng 2 tầng thế hệ thứ 9, được tối ưu hóa cho băng tần 2,3–2,7GHz (bao phủ 5G NR n78 và...

Liên hệ với bây giờ
Transitor RF MOSFET BLM9D2327S-50PBG

Nhận giá mới nhất

Thương hiệu:AMPLEON
Đặt hàng tối thiểu:1
Model No:BLM9D2327S-50PB BLM9D2327S-50PBG

BLM9D2327S-50PBG LDMOS Doherty MMIC tích hợp 2 giai đoạn Mô hình: BLM9D2327S-50PBG Nhà sản xuất: Ampeon Loại sản phẩm: Bộ khuếch đại công suất Doherty MMIC RF bất đối xứng 2 tầng 28V LDMOS thế hệ thứ 9 được tích hợp đầy đủ 2 phần, được tối ưu hóa...

Liên hệ với bây giờ
Bộ khuếch đại công suất RF BLM10D2327-40ABZ

Nhận giá mới nhất

Thương hiệu:AMPLEON
Đặt hàng tối thiểu:1
Model No:BLM10D2327-40ABZ BLM10D2327-40AB

BLM10D2327-40AB LDMOS Doherty MMIC tích hợp 2 giai đoạn Mô hình: BLM10D2327-40ABZ Nhà sản xuất: Ampeon Loại sản phẩm: Bộ khuếch đại công suất Doherty MMIC RF bất đối xứng 2 tầng thế hệ thứ 10, được tối ưu hóa cho các tế bào nhỏ băng tần 2,5–2,7 GHz...

Liên hệ với bây giờ
BLM7G1822S-40PBG RF FET LDMOS

Nhận giá mới nhất

Thương hiệu:AMPLEON
Đặt hàng tối thiểu:1
Model No:BLM7G1822S-40PB BLM7G1822S-40PBG BLM7G1822S-40PBY

BLM7G1822S-40PBG là MMIC công suất 2 tầng LDMOS BLM7G1822S-40PBG là bộ khuếch đại MMIC công suất hai tầng, hai phần dựa trên công nghệ GEN7 LDMOS của Ampleon, được tối ưu hóa cho các trạm gốc 4G/5G 1805–2170 MHz (1,8–2,17GHz), hệ thống liên lạc đa...

Liên hệ với bây giờ
BLM9D1822S-60PBG Doherty MMIC tích hợp đầy đủ 2 giai đoạn

Nhận giá mới nhất

Thương hiệu:AMPLEON
Đặt hàng tối thiểu:1
Model No:BLM9D1822S-60PBG BLM9D1822S-60PBGY

BLM9D1822S-60PBG LDMOS Doherty MMIC tích hợp 2 giai đoạn BLM9D1822S-60PBG là giải pháp Doherty MMIC tích hợp đầy đủ 2 phần, 2 giai đoạn sử dụng công nghệ GEN9 LDMOS hiện đại của Ampleon. Đối với mỗi phần, sóng mang và thiết bị tạo đỉnh, bộ chia đầu...

Liên hệ với bây giờ
B11G2327N71DYZ LDMOS RF MOSFET

Nhận giá mới nhất

Thương hiệu:AMPLEON
Đặt hàng tối thiểu:1
Model No:B11G2327N71D B11G2327N71DYZ B11G2327N71DXZ

B11G2327N71D là Doherty MMIC tích hợp 2 giai đoạn LDMOS Mẫu: B11G2327N71DYZ (Mẫu cơ bản: B11G2327N71D) Nhà sản xuất: Ampeon Loại sản phẩm: Bộ khuếch đại công suất Mạch tích hợp vi sóng nguyên khối Doherty (MMIC) tích hợp 2 giai đoạn LDMOS (Sóng mang...

Liên hệ với bây giờ
BLM10D1822-60ABGZ LDMOS RF MOSFET

Nhận giá mới nhất

Thương hiệu:AMPLEON
Đặt hàng tối thiểu:1
Model No:BLM10D1822-60ABGZ

BLM10D1822-60ABG LDMOS Doherty MMIC tích hợp 2 giai đoạn BLM10D1822-60ABGZ là Doherty MMIC tích hợp hoàn toàn hai giai đoạn LDMOS thế hệ thứ 10 của Ampleon, hoạt động ở tần số 1800～2200 MHz. Được tối ưu hóa cho các trạm gốc macro 4G/5G và giai đoạn...

Liên hệ với bây giờ
BLM9D1920-08AMZ Doherty LDMOS MMIC

Nhận giá mới nhất

Thương hiệu:AMPLEON
Đặt hàng tối thiểu:1
Model No:BLM9D1920-08AMZ

Doherty MMIC 2 giai đoạn Dải tần số 1880to2025 Mhz Công suất đầu ra trung bình 8w Tăng 26,8 Db Điện áp cung cấp 28 V 1. Tổng quan về sản phẩm Mã sản phẩm: BLM9D1920-08AMZ Nhà sản xuất:Ampleon Loại thiết bị: GEN9 LDMOS thế hệ thứ 9, Bộ khuếch đại...

Liên hệ với bây giờ

Bước 1

Doherty MMIC 2 giai đoạn

Doherty MMIC 2 giai đoạn là mạch vi sóng nguyên khối tích hợp áp dụng khuếch đại hai giai đoạn kết hợp với kiến trúc Doherty. Mạch này đạt hiệu suất cao trong khi vẫn duy trì độ tuyến tính tuyệt vời trên dải công suất rộng. Thiết kế chip nhỏ gọn giúp đơn giản hóa bố cục mạch và cắt giảm chi phí lắp ráp hệ thống.

VUI LÒNG ĐỂ LẠI TIN NHẮN CHO CHÚNG TÔI

CHÚNG TÔI SẼ LIÊN HỆ VỚI BẠN