BLM9D2527-09AMZ Bóng bán dẫn LDMOS công suất

BLM9D2527-09AMZ Bóng bán dẫn LDMOS công suất

Nhận giá mới nhất

Đặt hàng tối thiểu:

Liên hệ với bây giờ

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Đóng gói và giao hàng

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Mẫu số: BLM9D2527-09AM BLM9D2527-09AMZ

Thương hiệu: AMPLEON

Đóng gói và giao hàng

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Mô tả sản phẩm

Doherty MMIC 2 giai đoạn

Model: BLM9D2527-09AMZ (Mẫu tiêu chuẩn: BLM9D2527-09AM, Z biểu thị Bao bì băng & cuộn)

Nhà sản xuất: Ampeon

Loại sản phẩm: Bộ khuếch đại công suất Doherty MMIC RF 2 tầng thế hệ thứ 9 28V LDMOS tích hợp đầy đủ (Được tối ưu hóa cho các ứng dụng giai đoạn trình điều khiển trạm gốc macro và tế bào nhỏ 2,496–2,7 GHz)

Thông số kỹ thuật chính

Parameter	Specification
Frequency Range	2496 MHz to 2700 MHz (2.496–2.7 GHz), covering 5G NR n78/n79 and other key bands
Peak Output Power (P3dB)	9 W (Typical, 39.5 dBm), in Doherty Configuration
Typical Power Gain	26.5 dB (Typical, 2-stage amplification)
Typical Drain Efficiency	45%+ (Doherty Configuration, Optimized DPD Performance)
Supply Voltage (VDS)	28 V (Standard), Maximum Rated Voltage 40 V
Quiescent Drain Current (IDq)	120 mA (Typical)
Package Type	20-pin LGA (7×7×0.98 mm), Surface Mount, with Exposed Pad (Enhanced Thermal Dissipation)
Special Features	Fully integrated Doherty architecture, built-in carrier/peaking devices, input splitter and output combiner, 50-ohm input/output impedance, no additional matching network required
Linearity Performance	Optimized for high Peak-to-Average Power Ratio (PAPR) 5G NR signals, excellent ACPR performance after DPD correction
Operating Temperature Range	-40°C to +125°C (Maximum Junction Temperature 175°C)

Tính năng & Lợi ích

Thiết kế Doherty MMIC tích hợp đầy đủ: Kiến trúc khuếch đại 2 giai đoạn với các thiết bị mang/tạo đỉnh tích hợp, bộ tách đầu vào và bộ kết hợp đầu ra, cung cấp giải pháp một chip giúp đơn giản hóa đáng kể thiết kế PCB và giảm độ phức tạp cũng như chi phí của hệ thống.
Công nghệ LDMOS thế hệ thứ 9: Sử dụng quy trình LDMOS 28V thế hệ thứ 9 hàng đầu trong ngành của Ampleon để cân bằng mức tăng công suất cao và hiệu suất trên dải tần 2,496–2,7 GHz, lý tưởng cho các ứng dụng trạm gốc đa băng tần 5G NR.
Hiệu suất trước biến dạng kỹ thuật số (DPD) vượt trội: Được tối ưu hóa cho tín hiệu 5G NR, cho phép tuyến tính vượt trội sau khi hiệu chỉnh DPD nhằm đáp ứng các yêu cầu nghiêm ngặt về Tỷ lệ công suất kênh liền kề (ACPR) cho các trạm gốc và giảm độ phức tạp trong thiết kế hệ thống.
Tăng công suất cao: Mức tăng công suất điển hình là 26,5 dB cho phép điều khiển tín hiệu nhỏ đạt được công suất đầu ra 9W, giảm số lượng giai đoạn tiền điều khiển và đơn giản hóa thiết kế hệ thống.
Thiết kế trở kháng thấp: Trở kháng đầu vào/đầu ra 50 ohm cho phép kết nối trực tiếp với đường truyền tiêu chuẩn mà không cần thêm mạng kết hợp, rút ngắn chu kỳ phát triển.
Gói tản nhiệt hiệu suất cao: Gói LGA 7×7 mm với tấm đệm tiếp xúc lớn mang lại khả năng dẫn nhiệt tuyệt vời với khả năng chịu nhiệt thấp, đảm bảo hoạt động ổn định trong điều kiện tải cao.
Độ tin cậy cao: Nhiệt độ tiếp giáp tối đa 175°C và dải nhiệt độ hoạt động rộng (-40°C đến +125°C) đáp ứng các tiêu chuẩn về độ tin cậy cấp công nghiệp, kéo dài tuổi thọ thiết bị.
Tuân thủ RoHS: Đáp ứng các yêu cầu chỉ thị RoHS cho các ứng dụng trên thị trường toàn cầu.

Ứng dụng

Bộ khuếch đại công suất RF cho các trạm cơ sở nhỏ/nhỏ 5G NR (băng tần 2,496–2,7 GHz, ví dụ: n78/n79)
Các giai đoạn trình điều khiển cho Mô-đun bộ khuếch đại công suất trạm gốc macro 5G NR (2496–2700 MHz)
Bộ khuếch đại công suất trong hệ thống MIMO lớn (mMIMO)
Hệ thống truyền thông đa sóng mang (ví dụ: W-CDMA, LTE-A Pro)
Cơ sở hạ tầng truyền thông không dây băng thông rộng (ví dụ: C-Band, 5G-Advanced)
Internet vạn vật công nghiệp (IIoT) và Hệ thống truyền thông mạng riêng (ví dụ: 5G-Industrial)
Các ứng dụng khuếch đại công suất RF đa năng (băng tần 2,5–2,7 GHz)

sản phẩm nổi bật