Transitor RF MOSFET BLC10G27XS-551AVT

Nhận giá mới nhất

Đặt hàng tối thiểu:

Liên hệ với bây giờ

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Đóng gói và giao hàng

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Mẫu số: BLC10G27XS-551AVT BLC10G27XS-551AVTZ

Thương hiệu: AMPLEON

Đóng gói và giao hàng

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Mô tả sản phẩm

Transistor LDMOS công suất

Model: BLC10G27XS-551AVT

Nhà sản xuất: Ampeon

Loại sản phẩm: Transitor công suất Doherty không đối xứng đóng gói 28V LDMOS thế hệ thứ 10, được tối ưu hóa cho các ứng dụng khuếch đại công suất giai đoạn cuối của trạm gốc macro băng tần 2,62–2,69GHz 5G NR n78

Thông số kỹ thuật chính

Parameter	Specification
Frequency Range	2620 MHz ~ 2690 MHz (Precisely covers 5G NR n78 core band)
Peak Output Power	550 W Continuous Wave (CW), in Asymmetric Doherty Configuration
Typical Power Gain	13.5 dB (Doherty operation mode)
Typical Drain Efficiency	66.7% (Industry-leading level, significantly reducing base station energy consumption)
Supply Voltage	28V nominal, Maximum Rated Voltage 65V
Quiescent Current	750 mA (main path), 0 mA (peaking path) typical
Package Type	SOT1258-4 (OMP-780-4F-1), 4-pin RF power package with high-efficiency thermal pad
Thermal Resistance	Junction-to-case thermal resistance as low as 0.22 K/W, excellent heat dissipation performance
Special Features	Internally matched to 50Ω input/output, lower output capacitance for improved Doherty performance, integrated ESD protection
Operating Temperature	-40°C ~ +125°C (Maximum Junction Temperature 175°C)

Tính năng & Lợi ích

Áp dụng quy trình tiên tiến LDMOS thế hệ thứ 10 của Ampleon, đạt được sự cân bằng hoàn hảo giữa công suất đầu ra cực cao 550W và hiệu suất tiêu hao cực cao 66,7%, giảm đáng kể mức tiêu thụ điện năng vận hành trạm gốc 5G vĩ mô.
Kiến trúc Doherty bất đối xứng được tối ưu hóa với điện dung đầu ra thấp hơn giúp nâng cao hiệu suất ứng dụng Doherty, lý tưởng cho các tín hiệu điều chế PAPR 5G NR cao.
Mạng kết hợp đầu vào/đầu ra 50Ω được tích hợp đầy đủ giúp loại bỏ các mạch kết nối bên ngoài phức tạp, đơn giản hóa đáng kể việc thiết kế PCB RF và tăng tốc thời gian đưa ra thị trường của trạm gốc.
Thiết kế hiệu ứng bộ nhớ thấp cung cấp khả năng hiệu chỉnh Độ biến dạng trước kỹ thuật số (DPD) tuyệt vời, đảm bảo hiệu suất vượt trội của Tỷ lệ công suất kênh liền kề (ACPR) và Độ lớn vectơ lỗi (EVM) sau DPD, đáp ứng các yêu cầu tuyến tính nghiêm ngặt cho các trạm gốc 5G.
Mạch bảo vệ ESD tích hợp giúp nâng cao độ tin cậy của thiết bị trong quá trình sản xuất và ứng dụng, giảm nguy cơ hư hỏng.
Thiết kế gói có điện trở nhiệt thấp (0,22 K/W) với khả năng tản nhiệt hiệu quả đảm bảo thiết bị hoạt động ổn định trong điều kiện làm việc lâu dài với công suất cao, kéo dài tuổi thọ.
Tuân thủ RoHS, phù hợp cho việc xây dựng và triển khai cơ sở hạ tầng truyền thông 5G toàn cầu.

Ứng dụng

Bộ khuếch đại công suất RF giai đoạn cuối dành cho các trạm gốc macro băng tần 5G NR n78 (2,6 GHz)
Các mô-đun ngoại vi RF dành cho các trạm cơ sở MIMO (mMIMO) lớn
Hệ thống truyền thông băng thông rộng 5G-Advanced
Trạm cơ sở truyền thông tổng hợp đa sóng mang (CA)
Hệ thống truyền dẫn RF công suất cao dành cho truyền thông mạng riêng và Internet vạn vật công nghiệp (IIoT)
Dự án nâng cấp, cải tạo cơ sở hạ tầng truyền thông không dây

sản phẩm nổi bật