BLC10G18XS-552AVT RF MOSFET LDMOS

Nhận giá mới nhất

Đặt hàng tối thiểu:

Liên hệ với bây giờ

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Đóng gói và giao hàng

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Mẫu số: BLC10G18XS-552AVT

Thương hiệu: AMPLEON

Đóng gói và giao hàng

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Mô tả sản phẩm

BLC10G18XS-552AVT là bóng bán dẫn LDMOS công suất

BLC10G18XS-552AVT là bóng bán dẫn công suất Doherty bất đối xứng LDMOS thế hệ thứ 10 của Ampleon (Hà Lan), được tối ưu hóa cho bộ khuếch đại công suất cuối cùng của trạm gốc macro 4G/5G ở băng tần 1805–1880 MHz (1,8 GHz). Nó mang lại công suất cao, hiệu suất cao, độ tuyến tính cao và độ chắc chắn cao, khiến nó trở thành thiết bị cốt lõi cho bộ khuếch đại công suất hiệu suất cao trong các trạm cơ sở lớn.

Thông số kỹ thuật chính

Hãng sản xuất: Ampleon (Hà Lan)
Mã sản phẩm: BLC10G18XS-552AVT
Dải tần số: 1805–1880 MHz
Công suất đầu ra cực đại (Psat): 630 W (điển hình, Doherty)
Công suất đầu ra trung bình (PAVG): 180 W @ 30 V, đầu vào 26 dBm
Tăng công suất (Gp): 16,8 dB (điển hình)
Điện áp cung cấp xả (VDS): 30 V
Hiệu suất: 48,3% (điển hình)
Gói: SOT1258-4 (gói Doherty bất đối xứng)
Công nghệ: LDMOS thế hệ thứ 10 (Silicon)
Ứng dụng: Bộ khuếch đại cuối cùng của trạm gốc macro 1,8 GHz 4G/5G, bộ khuếch đại công suất RF đa sóng mang
Tình trạng: Đang sản xuất

Đặc trưng

Kiến trúc Doherty công suất cao: Thiết kế Doherty bất đối xứng với công suất cực đại 630 W, đáp ứng yêu cầu công suất cao cho các trạm cơ sở lớn.
Hiệu suất cao & Tiêu thụ điện năng thấp: Hiệu suất điển hình là 48,3%, giảm mức tiêu thụ điện năng và chi phí vận hành của trạm gốc.
Độ ổn định nhiệt tuyệt vời: Thiết kế khả năng chịu nhiệt thấp đảm bảo hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao và kéo dài tuổi thọ thiết bịAmpleon.
Điện dung đầu ra thấp: Được tối ưu hóa cho hiệu suất Doherty, cải thiện độ tuyến tính và hiệu suất của bộ khuếch đạiAmpleon.
Hiệu ứng bộ nhớ thấp: Tương thích với DPD (Digital Pre-Distortion), mang lại độ tuyến tính tuyệt vời cho các tín hiệu được điều chế phức tạpAmpleon.
So khớp nội bộ: So khớp nội bộ đầu vào/đầu ra giúp đơn giản hóa việc thiết kế mạch và rút ngắn chu kỳ gỡ lỗiAmpleon.
Độ chắc chắn cao: Chịu được sự không phù hợp VSWR cao và tích hợp bảo vệ ESD để có độ tin cậy caoAmpleon.
Tuân thủ RoHS: Tuân thủ các chỉ thị về môi trường của EU, Ampleon thân thiện với môi trường.

Ứng dụng

Trạm gốc Macro 4G LTE & 5G NR: Khuếch đại công suất cuối cùng cho băng tần 1,8 GHz, bao gồm các kịch bản phủ sóng diện rộng.
Bộ khuếch đại công suất RF đa sóng mang: Hỗ trợ tín hiệu đa sóng mang, đa tiêu chuẩn, thích ứng với các hệ thống trạm gốc phức tạp.
Bộ khuếch đại Doherty hiệu suất cao: Lý tưởng cho kiến trúc Doherty PA công suất cao, hiệu suất cao trong các trạm cơ sở lớn.