BLF0910H9LS750PU BLF0910H9LS750PY RF MOSFET LDMOS

BLF0910H9LS750PU BLF0910H9LS750PY RF MOSFET LDMOS

Nhận giá mới nhất

Đặt hàng tối thiểu:

Liên hệ với bây giờ

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Đóng gói và giao hàng

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Mẫu số: BLF0910H9LS750PU BLF0910H9LS750PY

Thương hiệu: AMPLEON

Đóng gói và giao hàng

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Mô tả sản phẩm

Model: BLP05H9S500P

Nhà sản xuất: Ampeon

Loại sản phẩm: Transitor công suất LDMOS kéo đẩy, được tối ưu hóa cho băng tần ISM 423–443 MHz (tần số lõi cho các ứng dụng Công nghiệp, Khoa học và Y tế, bao phủ tần số truyền thông không dây chính thống và hệ thống sưởi công nghiệp 433 MHz), đạt được sự cân bằng tuyệt vời giữa công suất đầu ra cực cao 500W, hiệu suất tiêu hao 75% dẫn đầu ngành và độ bền tải không khớp vượt trội với công nghệ LDMOS tiên tiến, có tính năng bảo vệ ESD tích hợp và thiết kế nhiệt tối ưu cho các ứng dụng CW (Sóng liên tục) và CW xung

Thông số kỹ thuật chính

Parameter	Specification
Frequency Range	423 MHz ~ 443 MHz (Precisely covers core ISM band frequencies, suitable for 433MHz wireless communication and industrial heating applications)
Output Power	500W (CW/pulsed CW mode, at 50V supply, 433MHz, Class AB bias)
Output Power at 1dB Compression	57dBm (500W CW, at 50V supply, 433MHz)
Typical Power Gain	25.3 dB (CW mode, at 50V supply, 433MHz), 25.6 dB (pulsed CW mode, at 50V supply, 433MHz)
Typical Drain Efficiency	75% (CW mode, at 50V supply, 433MHz), 75.8% (pulsed CW mode, at 50V supply, 433MHz)
Supply Voltage	50V nominal, Maximum Rated Drain-Source Breakdown Voltage 108V
Quiescent Current	480 mA (Class AB bias, at 50V supply)
Package Type	OMP-780-4F-1 (plastic heatsink small outline package), dimensions 20.75mm×9.96mm×4mm, lightweight design with excellent thermal performance
Port Characteristics	Internally matched to 50Ω input and output, simplifying RF PCB design and reducing external component count
Architecture	Push-pull configuration with integrated ESD protection, achieving excellent off-state isolation performance and thermal stability
Operating Temperature	-40°C ~ +150°C (Maximum Junction Temperature 225°C), meeting industrial environment application requirements
Thermal Resistance	Junction-to-case thermal resistance as low as 0.25 K/W (typical value, under CW operating conditions)
Load Mismatch Tolerance	Capable of withstanding VSWR=10:1 through all phases (at 50V supply, 433MHz, CW/pulsed signal), industrial-grade robustness design
Threshold Voltage	2.0V ~ 3.0V (typical value 2.5V), suitable for wide-range bias circuit design
Drain Leakage Current	3.5μA (typical value, at VDS=50V, VGS=0V), low power standby design
ESD Protection	Integrated ESD protection circuit, CDM/MM test levels meet industrial standards, enhancing device reliability during production and application
Stability	Unconditionally stable across the entire band, Rollett stability factor K>1 (at -40°C, 0.1GHz to 1GHz frequency range), ensuring no self-oscillation risk

Tính năng & Lợi ích

Áp dụng quy trình LDMOS tiên tiến của Ampleon, đạt được sự cân bằng giữa công suất đầu ra cực cao 500W và hiệu suất tiêu hao 75% dẫn đầu ngành, lý tưởng cho các yêu cầu công suất cao, hiệu suất cao trong các ứng dụng băng tần ISM, giảm đáng kể mức tiêu thụ điện năng của hệ thống và áp suất tản nhiệt, đồng thời tiết kiệm chi phí vận hành.
Thiết kế cấu hình kéo đẩy với mạng kết hợp đầu vào/đầu ra 50Ω tích hợp giúp đơn giản hóa đáng kể thiết kế PCB RF, giảm số lượng thành phần bên ngoài, tăng tốc thời gian đưa sản phẩm ra thị trường, giảm chi phí hệ thống và chiếm dụng không gian, đồng thời cải thiện khả năng cạnh tranh của sản phẩm.
Độ bền không khớp tải cấp công nghiệp, có khả năng chịu được VSWR=10:1 trong tất cả các giai đoạn, đảm bảo hệ thống vận hành ổn định trong môi trường điện từ phức tạp, giảm rủi ro hỏng hóc thiết bị công nghiệp, đồng thời cải thiện độ tin cậy và tuổi thọ của thiết bị.
Mạch bảo vệ ESD tích hợp giúp nâng cao độ tin cậy của thiết bị trong quá trình sản xuất, thử nghiệm và ứng dụng, giảm nguy cơ hư hỏng do tĩnh điện, thích ứng với các tiêu chuẩn chất lượng cấp công nghiệp, nâng cao năng suất sản xuất và phù hợp cho sản xuất tự động quy mô lớn.
Thiết kế ổn định nhiệt tuyệt vời với nhiệt độ điểm nối tối đa lên tới 225°C và điện trở nhiệt giữa các điểm nối với vỏ thấp tới 0,25 K/W, cải thiện hiệu quả hiệu suất tản nhiệt, hỗ trợ các thiết kế mật độ năng lượng cao hơn, thích ứng với yêu cầu làm mát không gian nhỏ gọn cho thiết bị công nghiệp và kéo dài tuổi thọ của thiết bị.
Dải nhiệt độ hoạt động rộng (-40°C ~ +150°C) đáp ứng yêu cầu ứng dụng trong môi trường công nghiệp, thích ứng với nhiều điều kiện làm việc khác nhau như nhiệt độ cao trong nhà máy và nhiệt độ thấp ngoài trời, đảm bảo thiết bị hoạt động ổn định trong mọi thời tiết.
Tính năng điều khiển nguồn dễ dàng hỗ trợ điều chỉnh độ lệch phạm vi rộng, thích ứng với các yêu cầu về độ rộng xung và chu kỳ nhiệm vụ khác nhau, đáp ứng các yêu cầu công suất đầu ra đa dạng của các ứng dụng băng tần ISM như chiếu sáng plasma RF, rã đông và sưởi ấm công nghiệp.
Tuân thủ RoHS, phù hợp cho việc sản xuất và nâng cấp thiết bị công nghiệp toàn cầu, góp phần phát triển công nghiệp xanh, giảm lượng khí thải carbon và đáp ứng yêu cầu phát triển bền vững.
Thiết kế điện áp đánh thủng cao (108V) cải thiện độ tin cậy của thiết bị trong môi trường dao động điện áp cao, thích ứng với điều kiện dao động nguồn điện trong hệ thống công nghiệp và giảm rủi ro đánh thủng điện áp.
Thiết kế ổn định vô điều kiện trên toàn bộ băng tần đảm bảo không có rủi ro tự dao động trong dải tần số rộng, cải thiện độ ổn định và độ tin cậy của hệ thống, thích ứng với các yêu cầu vận hành kịch bản đa ứng dụng của băng tần ISM.

Ứng dụng

Bộ khuếch đại công suất RF giai đoạn cuối dành cho thiết bị sưởi công nghiệp băng tần ISM (433 MHz), hỗ trợ truyền tín hiệu sóng liên tục công suất cao, cải thiện hiệu suất và tính đồng nhất của hệ thống sưởi, phù hợp cho các ứng dụng công nghiệp như hàn nhựa và xử lý nhiệt kim loại.
Mô-đun khuếch đại công suất cho hệ thống chiếu sáng plasma RF, hỗ trợ truyền tín hiệu công suất cao ở dải tần 423-443 MHz, cải thiện độ sáng và hiệu quả sử dụng năng lượng, phù hợp với các tình huống ứng dụng như chiếu sáng công nghiệp và chiếu sáng sân khấu.
Mô-đun truyền dẫn RF cho thiết bị rã đông vi sóng, hỗ trợ đầu ra tín hiệu xung công suất cao 500W, nâng cao hiệu quả rã đông và độ đồng đều, phù hợp cho các lĩnh vực như chế biến thực phẩm và thiết bị y tế.
Các bộ khuếch đại công suất cho các trạm gốc truyền thông không dây 433 MHz (ví dụ IoT, tự động hóa công nghiệp), hỗ trợ truyền tín hiệu đường dài, cải thiện khoảng cách liên lạc và khả năng chống nhiễu, phù hợp với các kịch bản ứng dụng như nhà máy thông minh và thành phố thông minh.
Các mô-đun đầu ra công suất cao dành cho thiết bị thử nghiệm công nghiệp (ví dụ: bộ tạo tín hiệu RF, bộ khuếch đại công suất), hỗ trợ điều chỉnh công suất trên phạm vi rộng, thích ứng với các yêu cầu R&D và thử nghiệm của thiết bị công nghiệp, đồng thời cải thiện hiệu quả và độ chính xác của thử nghiệm.
Bộ khuếch đại công suất cho thiết bị y tế (ví dụ: dụng cụ trị liệu RF), đáp ứng các yêu cầu ứng dụng môi trường cấp y tế, công suất cao, độ tin cậy cao, cải thiện hiệu suất của thiết bị y tế và hiệu quả điều trị.
Mô-đun truyền RF cho các cổng Internet vạn vật công nghiệp (IIoT), hỗ trợ truyền tín hiệu công suất cao, cải thiện vùng phủ sóng và độ ổn định vận hành, đồng thời đảm bảo hoạt động đáng tin cậy của các hệ thống IoT công nghiệp.

sản phẩm nổi bật