BLF2425M9LS140 BLF2425M9LS140U RF MOSFET LDMOS

Các tính năng chính

• Công suất và mức tăng cao: Công suất đầu ra điển hình là 140 W ở 2450 MHz, mức tăng công suất 19 dB và hiệu suất tiêu hao 65% (VDS=32 V, IDQ=200 mA), mang lại hiệu quả sử dụng năng lượng tuyệt vời.
• Độ bền vượt trội: Chịu được tải VSWR toàn dải 20:1 ở điện áp nguồn 32 V, có khả năng chống sốc vượt trội trong các điều kiện vận hành khắc nghiệt.
• Bảo vệ & Kết hợp Tích hợp: Bảo vệ ESD tích hợp để tăng cường khả năng chống nhiễu; Kết hợp đầu vào/đầu ra 50 Ω được tích hợp đầy đủ giúp loại bỏ nhu cầu về các mạng kết hợp phức tạp bổ sung, giảm thời gian chu trình R&D.
• Độ tin cậy cấp công nghiệp: Điện áp nguồn xả tối đa là 65 V, khả năng chịu nhiệt độ điểm nối lên tới 225°C và khả năng chịu nhiệt thấp (điểm nối với vỏ) là 0,4 K/W, thích hợp cho hoạt động liên tục trong thời gian dài.
• Phạm vi nhiệt độ rộng: Nhiệt độ bảo quản từ -65°C đến 150°C, khả năng thích ứng mạnh mẽ với nhiều môi trường công nghiệp khác nhau.

Ứng dụng điển hình

• Khuếch đại công suất giai đoạn cuối cho thiết bị sưởi, sấy và rã đông vi sóng công nghiệp 2,45 GHz
• Giai đoạn khuếch đại công suất cao trong hệ thống truyền dẫn RF Công nghiệp, Khoa học và Y tế (ISM)
• Thiết bị nguồn lõi cho nguồn điện RF 2,4 GHz và thiết bị gia nhiệt cảm ứng
• Giai đoạn khuếch đại công suất cuối cùng trong hệ thống thông tin liên lạc đa sóng mang
• Nguồn tín hiệu công suất cao cho thiết bị kiểm tra RF chuyên nghiệp

Thông số kỹ thuật