Bộ khuếch đại công suất RF B11G3742N81DYZ B11G3742N81DX B11G3742N81D

Bộ khuếch đại công suất RF B11G3742N81DYZ B11G3742N81DX B11G3742N81D

Nhận giá mới nhất

Đặt hàng tối thiểu:

Liên hệ với bây giờ

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Đóng gói và giao hàng

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Mẫu số: B11G3742N81DYZ B11G3742N81DX B11G3742N81D

Thương hiệu: AMPLEON

Đóng gói và giao hàng

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Mô tả sản phẩm

Doherty MMIC 2 giai đoạn

Model: B11G3742N81D

Nhà sản xuất: Ampeon

Loại sản phẩm: Bộ khuếch đại công suất Doherty MMIC RF 3 tầng 28V LDMOS thế hệ thứ 11 được tích hợp đầy đủ, được tối ưu hóa cho băng tần 3,7–4,2GHz (bao phủ băng tần cao 5G NR n77), các ứng dụng trình điều khiển đa năng và tế bào nhỏ, đạt được sự cân bằng hoàn hảo giữa khả năng tích hợp cao và hiệu quả với công nghệ LDMOS tiên tiến

Thông số kỹ thuật chính

Parameter	Specification
Frequency Range	3700 MHz ~ 4200 MHz (Precisely covers 5G NR n77 high-frequency core band)
Peak Output Power	81W Continuous Wave (CW), in Doherty Configuration (49.1dBm typical, up to 49.5dBm at 28V supply)
Typical Power Gain	32 dB (at 28V supply, 39dBm average output power, 4000MHz)
Typical Drain Efficiency	38% (at 9dB OBO, 1-carrier W-CDMA signal, PAR=9.9dB, 4000MHz)
Supply Voltage	26V/28V nominal, Maximum Rated Drain-Source Breakdown Voltage 65V
Quiescent Current	60 mA (carrier path), independent biasing for peaking path (VGSq(peak)=VGSq(carrier)-0.4V)
Package Type	PQFN-12x7-36-1 (12×7mm), 36-pin leadless thermal enhanced package with exposed thermal pad
Port Characteristics	Internally matched to 50Ω input/output, no external matching required, simplifying RF PCB design
Architecture	Dual-section 3-stage fully integrated Doherty with built-in input splitter, output combiner, carrier/peaking amplifier paths and driver stages
Operating Temperature	-40°C ~ +125°C (Maximum Junction Temperature 175°C)
Thermal Resistance	Junction-to-case thermal resistance as low as 1.8 K/W (at PL=10W, 1-carrier W-CDMA signal)
Load Mismatch Tolerance	Capable of withstanding VSWR=10:1 through all phases (at 32V supply, 4200MHz), improving system robustness
Gain Flatness	Only 0.6dB within 3700-4200MHz band, suitable for ultra-broadband communication systems
ESD Protection	CDM Class C1 (250V), HBM Class 1B (500V), enhancing device reliability
Stability	Rollett stability factor K>1 (at -40°C, 0.6GHz to 8.1GHz frequency range), ensuring stable operation across the entire band

Tính năng & Lợi ích

Áp dụng quy trình tiên tiến LDMOS thế hệ thứ 11 của Ampleon, đạt được sự cân bằng giữa công suất đầu ra cực cao 81W và hiệu suất cao 38%, lý tưởng cho tín hiệu điều chế PAPR cực cao 5G (PAR=9,9dB).
Kiến trúc Doherty tích hợp đầy đủ 3 phần kép được tối ưu hóa cung cấp khả năng hiệu chỉnh Biến dạng trước kỹ thuật số (DPD) tuyệt vời, đảm bảo Tỷ lệ công suất kênh liền kề (ACPR) vượt trội ở mức -33dBc sau DPD, đáp ứng các yêu cầu tuyến tính nghiêm ngặt cho các trạm gốc di động nhỏ 5G.
Thiết kế tích hợp đầy đủ (bộ chia, bộ kết hợp tích hợp, mạng phù hợp 50Ω và các tầng trình điều khiển) giúp đơn giản hóa đáng kể thiết kế PCB RF, tăng tốc thời gian đưa sản phẩm ra thị trường của tế bào nhỏ và giảm chi phí hệ thống.
Khả năng kiểm soát độc lập sóng mang và độ lệch đỉnh cho phép tối ưu hóa linh hoạt hiệu suất tuyến tính và hiệu suất trong các điều kiện hoạt động khác nhau, phù hợp với các hệ thống truyền thông đa tiêu chuẩn (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR).
Khả năng chịu tải không phù hợp tuyệt vời, có khả năng chịu được VSWR=10:1 qua tất cả các pha, cải thiện độ bền của hệ thống trong môi trường phức tạp và giảm chi phí bảo trì trạm gốc.
Độ phẳng khuếch đại siêu rộng (chỉ 0,6dB trong dải tần 3700-4200 MHz), phù hợp với hệ thống truyền thông siêu băng thông rộng, giảm nhu cầu về mạch cân bằng bên ngoài và cải thiện độ tin cậy của hệ thống.
Mạch bảo vệ ESD tích hợp giúp nâng cao độ tin cậy của thiết bị trong quá trình sản xuất và ứng dụng, giảm nguy cơ hư hỏng tĩnh điện và cải thiện năng suất sản xuất.
Gói PQFN được tăng cường về nhiệt với điện trở nhiệt tiếp giáp với vỏ thấp tới 1,8 K/W, cải thiện hiệu quả hiệu suất tản nhiệt, kéo dài tuổi thọ của thiết bị và hỗ trợ các thiết kế mật độ năng lượng cao hơn.
Hỗ trợ các ứng dụng Băng thông video siêu rộng (VBW), phù hợp với các hệ thống cell nhỏ thế hệ tiếp theo hỗ trợ tín hiệu băng rộng, đáp ứng nhu cầu phát triển mạng 5G trong tương lai.
Tuân thủ RoHS, phù hợp cho việc xây dựng và triển khai cơ sở hạ tầng truyền thông 5G trên toàn cầu, góp phần phát triển truyền thông xanh.

Ứng dụng

Bộ khuếch đại công suất RF giai đoạn cuối dành cho các trạm gốc tế bào nhỏ băng tần 5G NR n77 (3,7-4,2 GHz), hỗ trợ các yêu cầu về công suất cao và độ tuyến tính cao
Bộ khuếch đại trình điều khiển đa năng dành cho hệ thống truyền thông tổng hợp nhiều sóng mang (CA), đáp ứng yêu cầu tín hiệu siêu băng thông rộng và tăng công suất hệ thống
Các mô-đun RF ngoại vi dành cho các trạm gốc di động cỡ nhỏ MIMO (mMIMO), hỗ trợ các yêu cầu về mật độ năng lượng và hiệu suất cao, giảm mức tiêu thụ năng lượng của trạm gốc
Dự án nâng cấp và cải tạo các trạm gốc phát triển 4G LTE, phù hợp cho việc triển khai băng tần 3,7-4,2GHz, cải thiện vùng phủ sóng và dung lượng mạng
Hệ thống truyền dẫn RF cho truyền thông mạng riêng và Internet vạn vật công nghiệp (IIoT), yêu cầu các ứng dụng có độ tin cậy cao và băng thông rộng, hỗ trợ triển khai môi trường cấp công nghiệp
Mô-đun khuếch đại công suất cho thiết bị liên lạc tương thích đa tiêu chuẩn (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR), giảm chi phí phát triển thiết bị và đẩy nhanh thời gian đưa ra thị trường
Các dự án nâng cấp, cải tạo cơ sở hạ tầng truyền thông không dây, đặc biệt là triển khai mạng 5G tần số cao, giúp các nhà mạng triển khai nhanh chóng mạng 5G và nâng cao trải nghiệm người dùng

sản phẩm nổi bật