BLM9D3538-12AMZ LDMOS Doherty MMIC tích hợp 3 giai đoạn

BLM9D3538-12AMZ LDMOS Doherty MMIC tích hợp 3 giai đoạn

Nhận giá mới nhất

Đặt hàng tối thiểu:

Liên hệ với bây giờ

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Đóng gói và giao hàng

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Mẫu số: BLM9D3538-12AMZ BLM9D3538-12AM

Thương hiệu: AMPLEON

Đóng gói và giao hàng

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Mô tả sản phẩm

Model: BLM9D3538-12AMz (BLM9D3538-12AMZ)

Nhà sản xuất: Ampeon

Loại sản phẩm: Bộ khuếch đại công suất Doherty MMIC RF bất đối xứng 3 tầng GEN9 LDMOS, được tối ưu hóa cho băng tần 3,4–3,8 GHz (bao phủ băng tần lõi 5G NR n78 và băng tần chính 4G TDD-LTE 3,5 GHz), các ứng dụng MIMO cỡ lớn và tế bào nhỏ, đạt được sự cân bằng hoàn hảo giữa công suất cao, hiệu suất và độ tuyến tính với công nghệ GEN9 LDMOS tiên tiến, có bộ chia đầu vào tích hợp, bộ kết hợp đầu ra và mạng khớp trước 50Ω cho quy trình thiết kế RF đơn giản hóa

Thông số kỹ thuật chính

Parameter	Specification
Frequency Range	3400 MHz ~ 3800 MHz (Precisely covers 5G NR n78 core band, compatible with 4G TDD-LTE 3.5GHz mainstream band)
Output Power at 1dB Compression	40.8dBm (12W CW, at 28V supply, 3600MHz, CW measurement)
Typical Power Gain	32.0 dB (at 28V supply, 40dBm output, 3600MHz, CW signal)
Typical Drain Efficiency	30.0% (at PL=3.98W/36dBm, 1-carrier W-CDMA signal, PAR=7.2dB, 3600MHz)
Saturated Drain Efficiency	38% (at PL=PL(1dB), 3600MHz)
Supply Voltage	28V nominal, Maximum Rated Drain-Source Breakdown Voltage 65V
Quiescent Current	80 mA (carrier path), independent biasing for peaking path (VGSq(peak)=VGSq(carrier)-0.5V), supporting flexible bias optimization
Package Type	LGA-7x7-20 (PQFN-7x7-20), 7×7mm leadless thermal enhanced package with exposed thermal pad, 20 terminals, excellent thermal performance design
Port Characteristics	Internally pre-matched to 50Ω input/output, no external matching components required, simplifying RF PCB design and reducing BOM cost
Architecture	3-stage fully integrated asymmetrical Doherty with built-in input splitter, output combiner, carrier/peaking amplifier paths and driver stages, fully integrated design reduces system complexity
Operating Temperature	-40°C ~ +125°C (Maximum Junction Temperature 175°C), meeting industrial environment application requirements
Thermal Resistance	Junction-to-case thermal resistance as low as 4.5 K/W (typical value, at PL=12W), efficient heat dissipation ensures long-term stable operation
Load Mismatch Tolerance	Capable of withstanding VSWR=6:1 through all phases (at 28V supply, 3400MHz, CW signal), improving system robustness in complex environments
Gain Flatness	Only 2.5dB within 3400-3800MHz band, suitable for ultra-broadband communication systems, reducing the need for external equalization circuits
ESD Protection	CDM Class C3 (1000V), HBM Class 2 (2000V), enhancing device reliability during production and application, reducing the risk of electrostatic damage
Stability	Rollett stability factor K>1 (at -40°C, 0.15GHz to 5GHz frequency range), ensuring stable operation across the entire band without self-oscillation risk

Tính năng & Lợi ích

Áp dụng quy trình tiên tiến GEN9 LDMOS thế hệ thứ 9 của Ampleon, đạt được sự cân bằng giữa công suất đầu ra cao 12W và hiệu suất cao 30,0%, lý tưởng cho tín hiệu điều chế PAPR cao 5G (PAR=7,2dB), đáp ứng các yêu cầu tuyến tính nghiêm ngặt cho các hệ thống MIMO cỡ lớn và ô nhỏ.
Kiến trúc Doherty bất đối xứng được tích hợp đầy đủ 3 giai đoạn được tối ưu hóa cung cấp khả năng hiệu chỉnh Biến dạng trước kỹ thuật số (DPD) tuyệt vời, đảm bảo Tỷ lệ công suất kênh liền kề (ACPR) vượt trội ở mức -35dBc sau DPD, đáp ứng các thông số kỹ thuật tuyến tính nghiêm ngặt của 5G NR và hỗ trợ các ứng dụng tổng hợp nhiều sóng mang (CA) để tăng công suất hệ thống.
Thiết kế tích hợp đầy đủ (bộ chia, bộ kết hợp tích hợp, mạng phù hợp trước 50Ω và các giai đoạn trình điều khiển) giúp đơn giản hóa đáng kể thiết kế PCB RF, giảm số lượng thành phần bên ngoài, tăng tốc thời gian đưa sản phẩm ra thị trường của tế bào nhỏ, giảm chi phí hệ thống và chiếm dụng không gian, đồng thời cải thiện khả năng cạnh tranh của sản phẩm.
Kiểm soát độc lập sóng mang và độ lệch đỉnh cho phép tối ưu hóa linh hoạt độ tuyến tính và hiệu suất trong các điều kiện vận hành khác nhau, phù hợp với hệ thống truyền thông đa tiêu chuẩn (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR), hỗ trợ điều chỉnh công suất động, cải thiện hiệu suất sử dụng năng lượng của hệ thống và giảm chi phí vận hành.
Khả năng chịu tải không phù hợp tuyệt vời, có khả năng chịu được VSWR=6:1 trong tất cả các giai đoạn, cải thiện độ bền của hệ thống trong môi trường phức tạp, giảm chi phí bảo trì trạm gốc, kéo dài tuổi thọ thiết bị và phù hợp để triển khai trong môi trường khắc nghiệt ngoài trời.
Độ phẳng khuếch đại siêu rộng (chỉ 2,5dB trong dải tần 3400-3800 MHz), phù hợp với hệ thống truyền thông siêu băng thông rộng, giảm nhu cầu về mạch cân bằng bên ngoài, cải thiện độ tin cậy của hệ thống và tính linh hoạt trong thiết kế, đồng thời đơn giản hóa quy trình thiết kế mặt trước RF.
Mạch bảo vệ ESD tích hợp (CDM 1000V, HBM 2000V) nâng cao độ tin cậy của thiết bị trong quá trình sản xuất và ứng dụng, giảm nguy cơ hư hỏng tĩnh điện, cải thiện năng suất sản xuất, thích ứng với sản xuất tự động quy mô lớn và giảm chi phí sản xuất.
Gói LGA được tăng cường về nhiệt với điện trở nhiệt tiếp giáp với vỏ máy thấp tới 4,5 K/W, cải thiện hiệu suất tản nhiệt một cách hiệu quả, hỗ trợ các thiết kế mật độ năng lượng cao hơn, thích ứng với các yêu cầu làm mát không gian nhỏ gọn của tế bào nhỏ, kéo dài tuổi thọ của thiết bị và cải thiện độ ổn định của hệ thống.
Hỗ trợ các ứng dụng Băng thông video siêu rộng (VBW), phù hợp với các hệ thống di động nhỏ thế hệ tiếp theo hỗ trợ tín hiệu băng rộng, đáp ứng nhu cầu phát triển mạng 5G trong tương lai (ví dụ: 5G-Advanced), bảo vệ khoản đầu tư của khách hàng và kéo dài vòng đời sản phẩm.
Tuân thủ RoHS, phù hợp cho việc xây dựng và triển khai cơ sở hạ tầng truyền thông 5G toàn cầu, góp phần phát triển truyền thông xanh, giảm lượng khí thải carbon và đáp ứng yêu cầu phát triển bền vững.

Ứng dụng

Bộ khuếch đại công suất RF giai đoạn cuối dành cho các trạm gốc di động nhỏ băng tần 5G NR n78 (3,4-3,8 GHz), hỗ trợ các yêu cầu về công suất cao và độ tuyến tính cao, phù hợp với các kịch bản phủ sóng đô thị và ngoại ô, cải thiện chất lượng phủ sóng mạng.
Các mô-đun RF ngoại vi dành cho các trạm gốc MIMO (mMIMO) lớn, hỗ trợ các yêu cầu về mật độ công suất cao và hiệu suất cao, giảm mức tiêu thụ năng lượng của trạm gốc, thích ứng với các thiết kế mảng nhiều ăng-ten, đồng thời cải thiện công suất hệ thống và hiệu suất quang phổ.
Các dự án nâng cấp và cải tạo các trạm gốc băng tần 3,5 GHz 4G TDD-LTE, cải thiện vùng phủ sóng và dung lượng mạng, hỗ trợ chuyển đổi suôn sẻ sang mạng 5G, bảo vệ các khoản đầu tư hiện có của nhà khai thác và tạo điều kiện phát triển mạng.
Bộ khuếch đại công suất giai đoạn cuối dành cho hệ thống liên lạc tổng hợp nhiều sóng mang (CA), đáp ứng yêu cầu tín hiệu siêu băng thông rộng, tăng công suất hệ thống, hỗ trợ các ứng dụng băng thông cao như video HD và chơi game trên đám mây cũng như đáp ứng nhu cầu dữ liệu ngày càng tăng của người dùng.
Hệ thống truyền dẫn RF cho truyền thông mạng riêng và Internet vạn vật công nghiệp (IIoT), yêu cầu các ứng dụng băng thông rộng và độ tin cậy cao, hỗ trợ triển khai môi trường cấp công nghiệp như sản xuất thông minh, lưới điện thông minh và giao thông thông minh.
Mô-đun khuếch đại công suất dành cho thiết bị liên lạc tương thích đa tiêu chuẩn (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR), giảm chi phí phát triển thiết bị, tăng tốc thời gian đưa ra thị trường, thích ứng với nhu cầu cùng tồn tại mạng đa tiêu chuẩn của nhà khai thác và cải thiện tính linh hoạt của thiết bị.
Các dự án nâng cấp, cải tạo cơ sở hạ tầng truyền thông không dây, đặc biệt là triển khai mạng 5G tần số cao, giúp các nhà mạng triển khai nhanh chóng mạng 5G, nâng cao trải nghiệm người dùng, đáp ứng nhu cầu phát triển kinh tế số và thúc đẩy chuyển đổi số xã hội.

sản phẩm nổi bật