Bộ khuếch đại công suất RF BLM9D3438-16AM BLM9D3438-16AMZ

Bộ khuếch đại công suất RF BLM9D3438-16AM BLM9D3438-16AMZ

Nhận giá mới nhất

Đặt hàng tối thiểu:

Liên hệ với bây giờ

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Đóng gói và giao hàng

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Mẫu số: BLM9D3438-16AM BLM9D3438-16AMZ

Thương hiệu: AMPLEON

Đóng gói và giao hàng

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Mô tả sản phẩm

BLM9D3438-16AM LDMOS Doherty MMIC tích hợp 3 giai đoạn

Mô hình: BLM9D3438-16AMZ

Nhà sản xuất: Ampeon

Loại sản phẩm: Bộ khuếch đại công suất Doherty MMIC RF tích hợp đầy đủ 3 tầng thế hệ thứ 9, được tối ưu hóa cho băng tần 3,4–3,8 GHz (bao phủ băng tần lõi 5G NR n78 và băng tần cao 4G TDD-LTE), các ứng dụng trình điều khiển đa năng và tế bào nhỏ, đạt được sự cân bằng hoàn hảo giữa khả năng tích hợp cao và hiệu quả với công nghệ LDMOS tiên tiến

Thông số kỹ thuật chính

Parameter	Specification
Frequency Range	3400 MHz ~ 3800 MHz (Precisely covers 5G NR n78 core band, compatible with 4G TDD-LTE 3.5GHz band)
Peak Output Power	16W Continuous Wave (CW), in Doherty Configuration (42dBm typical, at 28V supply, pulsed CW measurement)
Typical Power Gain	32.5 dB (at 28V supply, 40dBm peak output, 3600MHz, CW signal)
Typical Drain Efficiency	24.3% (at 10dB OBO, 1-carrier W-CDMA signal, PAR=7.2dB, 3600MHz)
Supply Voltage	26V/28V nominal, Maximum Rated Drain-Source Breakdown Voltage 65V
Quiescent Current	38 mA (carrier path), independent biasing for peaking path (VGSq(peak)=VGSq(carrier)-0.5V)
Package Type	LGA-7x7-20-2, 7×7mm leadless thermal enhanced package with exposed thermal pad, 20 terminals
Port Characteristics	Internally matched to 50Ω input/output, no external matching required, simplifying RF PCB design
Architecture	3-stage fully integrated Doherty with built-in input splitter, output combiner, carrier/peaking amplifier paths and driver stages
Operating Temperature	-40°C ~ +125°C (Maximum Junction Temperature 175°C)
Thermal Resistance	Junction-to-case thermal resistance as low as 10.76 K/W (at PL=0.8W, 1-carrier W-CDMA signal, PAR=7.2dB)
Load Mismatch Tolerance	Capable of withstanding VSWR=10:1 through all phases (at 28V supply, 3400MHz, CW signal), improving system robustness
Gain Flatness	Only 2.5dB within 3400-3800MHz band, suitable for ultra-broadband communication systems
ESD Protection	CDM Class C3 (1000V), HBM Class 2 (2000V), enhancing device reliability
Stability	Rollett stability factor K>1 (at -40°C, 0.15GHz to 5GHz frequency range), ensuring stable operation across the entire band

Tính năng & Lợi ích

Áp dụng quy trình tiên tiến LDMOS thế hệ thứ 9 của Ampleon, đạt được sự cân bằng giữa công suất đầu ra cao 16W và hiệu suất cao 24,3%, lý tưởng cho tín hiệu điều chế PAPR cao 5G (PAR=7,2dB), đáp ứng các yêu cầu tuyến tính nghiêm ngặt cho các trạm gốc di động nhỏ.
Kiến trúc Doherty tích hợp đầy đủ 3 giai đoạn được tối ưu hóa cung cấp khả năng hiệu chỉnh Độ biến dạng trước kỹ thuật số (DPD) tuyệt vời, đảm bảo Tỷ lệ công suất kênh liền kề (ACPR) vượt trội ở mức -34,8dBc sau DPD, đáp ứng các thông số kỹ thuật tuyến tính nghiêm ngặt của 5G NR và hỗ trợ các ứng dụng tổng hợp nhiều sóng mang (CA).
Thiết kế tích hợp đầy đủ (bộ chia, bộ kết hợp tích hợp, mạng phù hợp 50Ω và các giai đoạn trình điều khiển) giúp đơn giản hóa đáng kể thiết kế RF PCB, giảm số lượng thành phần bên ngoài, tăng tốc thời gian đưa ra thị trường của tế bào nhỏ và giảm chi phí hệ thống cũng như chiếm dụng không gian.
Khả năng kiểm soát độc lập sóng mang và độ lệch đỉnh cho phép tối ưu hóa linh hoạt độ tuyến tính và hiệu suất trong các điều kiện hoạt động khác nhau, phù hợp với các hệ thống truyền thông đa tiêu chuẩn (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR), hỗ trợ điều chỉnh công suất động và cải thiện hiệu suất năng lượng của hệ thống.
Khả năng chịu tải không phù hợp tuyệt vời, có khả năng chịu được VSWR=10:1 trong tất cả các giai đoạn, cải thiện độ bền của hệ thống trong môi trường phức tạp, giảm chi phí bảo trì trạm gốc và kéo dài tuổi thọ của thiết bị.
Độ phẳng khuếch đại siêu rộng (chỉ 2,5dB trong dải tần 3400-3800 MHz), phù hợp với hệ thống truyền thông siêu băng thông rộng, giảm nhu cầu về mạch cân bằng bên ngoài và cải thiện độ tin cậy của hệ thống cũng như tính linh hoạt trong thiết kế.
Mạch bảo vệ ESD tích hợp (CDM 1000V, HBM 2000V) nâng cao độ tin cậy của thiết bị trong quá trình sản xuất và ứng dụng, giảm nguy cơ hư hỏng do tĩnh điện, nâng cao năng suất sản xuất và thích ứng với sản xuất tự động quy mô lớn.
Gói LGA được tăng cường về nhiệt với điện trở nhiệt tiếp giáp với vỏ máy thấp tới 10,76 K/W, cải thiện hiệu suất tản nhiệt một cách hiệu quả, hỗ trợ các thiết kế mật độ năng lượng cao hơn, thích ứng với các yêu cầu làm mát không gian nhỏ gọn của tế bào nhỏ và kéo dài tuổi thọ của thiết bị.
Hỗ trợ các ứng dụng Băng thông video siêu rộng (VBW), phù hợp với các hệ thống di động nhỏ thế hệ tiếp theo hỗ trợ tín hiệu băng rộng, đáp ứng nhu cầu phát triển mạng 5G trong tương lai (ví dụ: 5G-Advanced) và bảo vệ khoản đầu tư của khách hàng.
Tuân thủ RoHS, phù hợp cho việc xây dựng và triển khai cơ sở hạ tầng truyền thông 5G trên toàn cầu, góp phần phát triển truyền thông xanh và giảm lượng khí thải carbon.

Ứng dụng

Bộ khuếch đại công suất RF giai đoạn cuối dành cho các trạm gốc di động nhỏ băng tần 5G NR n78 (3,4-3,8 GHz), hỗ trợ các yêu cầu về công suất cao và độ tuyến tính cao, phù hợp với các kịch bản phủ sóng ở thành thị và ngoại ô.
Dự án nâng cấp, cải tạo các trạm gốc 4G TDD-LTE băng tần 3,5GHz, cải thiện vùng phủ sóng và dung lượng mạng, hỗ trợ chuyển đổi suôn sẻ sang mạng 5G.
Bộ khuếch đại trình điều khiển đa năng dành cho hệ thống liên lạc tổng hợp nhiều sóng mang (CA), đáp ứng yêu cầu tín hiệu băng thông siêu rộng, tăng công suất hệ thống và hỗ trợ các ứng dụng băng thông cao như video HD và chơi game trên đám mây.
Các mô-đun RF ngoại vi dành cho các trạm gốc di động cỡ nhỏ MIMO (mMIMO), hỗ trợ các yêu cầu về mật độ công suất cao và hiệu suất cao, giảm mức tiêu thụ năng lượng của trạm gốc và thích ứng với các thiết kế mảng nhiều ăng-ten.
Hệ thống truyền dẫn RF dành cho truyền thông mạng riêng và Internet vạn vật công nghiệp (IIoT), yêu cầu các ứng dụng băng thông rộng và độ tin cậy cao, hỗ trợ triển khai môi trường cấp công nghiệp như sản xuất thông minh và lưới điện thông minh.
Mô-đun khuếch đại công suất cho thiết bị liên lạc tương thích đa tiêu chuẩn (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR), giảm chi phí phát triển thiết bị, đẩy nhanh thời gian đưa ra thị trường và thích ứng với nhu cầu cùng tồn tại mạng đa tiêu chuẩn của nhà khai thác.
Các dự án nâng cấp, cải tạo cơ sở hạ tầng truyền thông không dây, đặc biệt là triển khai mạng 5G tần số cao, giúp các nhà mạng triển khai nhanh chóng mạng 5G, nâng cao trải nghiệm người dùng và đáp ứng nhu cầu phát triển kinh tế số.

sản phẩm nổi bật