Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Việt

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Việt
Nhà> Sản phẩm> Transitor công suất RF> Doherty MMIC 2 giai đoạn> Bộ khuếch đại công suất RF BLM9D2327-26BZ
Bộ khuếch đại công suất RF BLM9D2327-26BZ
Bộ khuếch đại công suất RF BLM9D2327-26BZ
Bộ khuếch đại công suất RF BLM9D2327-26BZ
Bộ khuếch đại công suất RF BLM9D2327-26BZ
Bộ khuếch đại công suất RF BLM9D2327-26BZ
Bộ khuếch đại công suất RF BLM9D2327-26BZ
Bộ khuếch đại công suất RF BLM9D2327-26BZ

Bộ khuếch đại công suất RF BLM9D2327-26BZ

Nhận giá mới nhất
Đặt hàng tối thiểu:1
Thuộc tính sản phẩm

Mẫu sốBLM9D2327-26B BLM9D2327-26BZ

Thương hiệuAMPLEON

Đóng gói và giao hàng

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Mô tả sản phẩm
BLM9D2327-26B LDMOS Doherty MMIC tích hợp 2 giai đoạn
Mô hình: BLM9D2327-26BZ
Nhà sản xuất: Ampeon
Loại sản phẩm: Bộ khuếch đại công suất Doherty MMIC RF bất đối xứng 2 tầng thế hệ thứ 9, được tối ưu hóa cho băng tần 2,3–2,7GHz (bao phủ 5G NR n78 và 4G LTE Band 40/41) các ứng dụng trình điều khiển đa năng và tế bào nhỏAmpleon

Thông số kỹ thuật chính

Parameter Specification
Frequency Range 2300 MHz ~ 2700 MHz (Fully covers 5G NR n78 core band and 4G mainstream bands)Ampleon
Peak Output Power 26W Continuous Wave (CW), in Asymmetric Doherty Configuration (44.8dBm typical)Ampleon
Typical Power Gain 27.9 dB (Doherty operation mode, at 36.9dBm average output power)Ampleon
Typical Drain Efficiency 41.1% (at 8dB OBO, 1-carrier LTE 20MHz signal, 2500MHz)Ampleon
Supply Voltage 28V nominal, Maximum Rated Voltage 65VAmpleon
Quiescent Current 75 mA (carrier path), independent biasing for peaking path (VGSq(peak)=VGSq(carrier)-0.98V)Ampleon
Package Type 20-PQFN (SOT1462-1), 8x8x2.1mm leadless thermal enhanced package with exposed thermal padAmpleon
Port Characteristics Internally matched to 50Ω input, pre-matched output network, simplifying external matching designAmpleon
Architecture Fully integrated asymmetric Doherty with built-in input splitter, output combiner, carrier and peaking amplifier pathsAmpleon
Operating Temperature -40°C ~ +125°C (Maximum Junction Temperature 200°C)Ampleon
Thermal Resistance Junction-to-case thermal resistance as low as 3.23 K/W (at PL=5W, 1-carrier W-CDMA signal)Ampleon
Load Mismatch Tolerance Capable of withstanding VSWR=10:1 through all phases, improving system robustnessAmpleon
Gain Flatness Only 0.86dB within 2300-2700MHz band, suitable for multi-carrier broadband communication systemsAmpleon
ESD Protection CDM Class C2A (500V), HBM Class 1B (500V), enhancing device reliabilityAmpleon

Tính năng & Lợi ích

  • Áp dụng quy trình tiên tiến LDMOS thế hệ thứ 9 của Ampleon, đạt được sự cân bằng giữa công suất đầu ra cao 26W và hiệu suất cao 41,1%, lý tưởng cho tín hiệu điều chế PAPR cao 5G (PAR=7,2dB)Ampleon.
  • Kiến trúc Doherty bất đối xứng được tối ưu hóa cung cấp khả năng hiệu chỉnh Độ biến dạng trước kỹ thuật số (DPD) tuyệt vời, đảm bảo Tỷ lệ công suất kênh liền kề (ACPR) vượt trội ở mức -38,6dBc sau DPD, đáp ứng các yêu cầu tuyến tính nghiêm ngặt cho trạm gốc 5GAmpleon.
  • Thiết kế tích hợp đầy đủ (bộ chia, bộ kết hợp, mạng tiền khớp tích hợp sẵn) giúp đơn giản hóa đáng kể thiết kế PCB RF và tăng tốc thời gian tiếp thị của tế bào nhỏAmpleon.
  • Kiểm soát độc lập sóng mang và độ lệch đỉnh cho phép tối ưu hóa linh hoạt hiệu suất tuyến tính và hiệu quả trong các điều kiện vận hành khác nhau, phù hợp với các hệ thống truyền thông đa tiêu chuẩnAmpleon.
  • Khả năng chịu tải không khớp tuyệt vời, có khả năng chịu được VSWR=10:1 qua tất cả các pha, cải thiện độ bền của hệ thống trong môi trường phức tạpAmpleon.
  • Độ phẳng khuếch đại rộng (chỉ 0,86dB trong dải tần 2300-2700 MHz), phù hợp với hệ thống truyền thông băng thông rộng đa sóng mang, giảm nhu cầu sử dụng các mạch cân bằng bên ngoàiAmpleon.
  • Mạch bảo vệ ESD tích hợp nâng cao độ tin cậy của thiết bị trong quá trình sản xuất và ứng dụng, giảm nguy cơ hư hỏng do tĩnh điệnAmpleon.
  • Gói PQFN được tăng cường về nhiệt với điện trở nhiệt tiếp giáp với vỏ thấp tới 3,23 K/W, cải thiện hiệu quả hiệu suất tản nhiệt và kéo dài tuổi thọ sử dụng thiết bịAmpleon.
  • Tuân thủ RoHS, phù hợp cho việc xây dựng và triển khai cơ sở hạ tầng truyền thông 5G toàn cầuAmpleon.

Ứng dụng

  • Bộ khuếch đại công suất RF giai đoạn cuối dành cho trạm gốc di động nhỏ băng tần 5G NR n78 (2,5-2,7GHz)Ampleon
  • Trạm gốc truyền thông 4G LTE Band 40/41 (2.3-2.4GHz/2.5-2.6GHz)
  • Bộ khuếch đại trình điều khiển đa năng dành cho hệ thống truyền thông tập hợp nhiều sóng mang (CA)Ampleon
  • Mô-đun ngoại vi RF dành cho các trạm cơ sở MIMO (mMIMO) lớnAmpleon
  • Hệ thống truyền dẫn RF cho truyền thông mạng riêng và Internet vạn vật công nghiệp (IIoT)
  • Thiết bị liên lạc tương thích đa tiêu chuẩn (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR)Ampleon
  • Dự án nâng cấp và cải tạo cơ sở hạ tầng truyền thông không dâyAmpleon
Nhà> Sản phẩm> Transitor công suất RF> Doherty MMIC 2 giai đoạn> Bộ khuếch đại công suất RF BLM9D2327-26BZ
Gửi yêu cầu thông tin
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Gửi