B10H0710N40DYZ Doherty MMIC 2 giai đoạn cho các ứng dụng RF

Doherty MMIC 2 giai đoạn

1. Thông số kỹ thuật cơ bản

• Nhà sản xuất: Ampeon
• Công nghệ: LDMOS thế hệ thứ 10
• Đóng gói: LGA-12x8-34-2 (LGA gắn trên bề mặt, 34 chân, 12×8 mm, gói băng & cuộn: hậu tố YZ)
• Dải tần số: 700 MHz – 1000 MHz (bao gồm các băng tần 4G/5G dưới 1GHz: n5/n8/n20/n28, Băng tần 8/20/28)
• Điện áp cung cấp: VDS = 48 V (điển hình), VDSmax = 50 VAmpleon
• Công suất đầu ra (P1dB): 40 W (mỗi kênh), tổng công suất ổ đĩa 80 W cho kênh đôi
• Tăng công suất: 31 dB (điển hình) @845 MHz, LTE 1 sóng mang 20 MHzAmpleon
• Hiệu suất thoát nước: 54% (điển hình)
• Trở kháng: đầu vào/đầu ra 50Ω, bộ chia/bộ kết hợp/khớp trước tích hợp, không cần kết nối bên ngoài
• Kiểm soát độ lệch: Kiểm soát độ lệch sóng mang/đỉnh điểm độc lập để tối ưu hóa Doherty
• Dòng tĩnh: Idq = 72 mA (tổng sóng mang + đỉnh)Ampleon
• Độ tuyến tính: Độ tuyến tính cao, hiệu ứng bộ nhớ thấp, thân thiện với DPD đối với tín hiệu băng rộng/PAR cao
• Độ tin cậy: Bảo vệ ESD tích hợp, tuân thủ RoHS, nhiệt độ hoạt động: -40°C đến +125°C
• Hậu tố: DYZ = D (Hiệu suất tiêu chuẩn) + YZ (Bao bì dán băng & cuộn SMD dành cho sản xuất hàng loạt)

2. Các tính năng chính

1. Doherty MMIC tích hợp đầy đủ: Bóng bán dẫn mang/đạt đỉnh, bộ chia đầu vào, bộ kết hợp đầu ra và 50Ω khớp trước tích hợp trên chip; loại bỏ việc khớp/tách/kết hợp bên ngoài, đơn giản hóa thiết kế PA, giảm kích thước và cải thiện tính nhất quán
2. Kênh độc lập kép: Đường dẫn Doherty kép có độ lệch sóng mang/cực đại riêng biệt; hỗ trợ hoạt động kết hợp bốn mà không cần bộ tuần hoàn đầu raAmpleon
3. Hiệu suất và mức tăng cực cao: Mức tăng 31 dB và hiệu suất 54%, giảm thiểu yêu cầu về ổ đĩa trước và giảm mức tiêu thụ điện năng của hệ thống
4. Băng thông rộng và độ tuyến tính cao: Vùng phủ sóng đầy đủ 700–1000 MHz, được tối ưu hóa cho tín hiệu đa sóng mang 5G NR/4G LTE, băng rộng và tín hiệu cải cách hành chính cao
5. Gói tích hợp cao SMD: LGA gắn trên bề mặt, băng & cuộn để sản xuất tự động, lý tưởng cho các thiết kế RRU/AAU nhỏ gọn, ô nhỏ và ô pico

3. Ứng dụng điển hình

• Bộ khuếch đại trình điều khiển giai đoạn cuối của Doherty dành cho các trạm gốc macro, micro và pico 4G/5G dưới 1GHz
• Các giai đoạn điều khiển cho mô-đun nguồn RF đa sóng mang (RRU/AAU)
• Trình điều khiển cho Hệ thống Ăng-ten Phân tán (DAS) và bộ lặp
• Trình điều khiển tuyến tính cao cho an toàn công cộng, máy phát vô tuyến di động chuyên nghiệp (PMR)

4. Phân tích cách đặt tên theo số phần

• B: Bộ khuếch đại MMIC trạm gốc
• 10: Quy trình LDMOS thế hệ thứ 10
• H: Mức tăng cao / Cấp hiệu suất cao
• 0710: Mã băng tần (700–1000 MHz)
• N: LDMOS kênh N
• 40: 40 W Công suất đầu ra P1dB trên mỗi kênh
• D: Cấp hiệu suất tiêu chuẩn
• YZ: Gói SMD băng & cuộn (Sản xuất hàng loạt)