BLM8G0710S-15PB Công suất kép 2 tầng MMIC

Thông số kỹ thuật chính (Tcase=25°C, VDS=28V, 1 sóng mang W‑CDMA)

• Dải tần số: 700 MHz ~ 1000 MHz
• Điện áp cung cấp xả (VDS): 28 V (Loại.), Tối đa 32 V
• Dòng tĩnh: I_Dq1=15 mA (trình điều khiển); I_Dq2=60 mA (cuối cùng)
• Công suất đầu ra trung bình: 1,5 W (W‑CDMA, PAR=9,9 dB)
• Công suất đầu ra P1dB: 23,3 W (43,7 dBm, Loại.)
• Tăng công suất: 36 dB (Điển hình)
• Hiệu suất thoát nước: 27 % (Điển hình)
• Độ tuyến tính (ACPR5M):-41 dBc (Loại.)
• Đóng gói:SOT1211‑3 (16 dây dẫn, loại gắn nhiệt phẳng)
• Khả năng chịu nhiệt (Nối với vỏ): 7,5 K/W
• Các tính năng:So khớp trên chip, độ lệch bù nhiệt độ, bảo vệ ESD, cách ly cao

Các tính năng chính

• LDMOS thế hệ thứ 8, bộ khuếch đại tích hợp 2 tầng: độ lợi cao, tuyến tính và độ ổn định băng thông rộng;
• Vùng phủ sóng băng rộng 700–1000 MHz cho 4G LTE, 5G NR, 3G W‑CDMA；
• Việc kết hợp I/O trên chip giúp loại bỏ các mạch bên ngoài phức tạp, đơn giản hóa thiết kế và rút ngắn chu trình;
• Khả năng cách ly cổng-tới-cổng cao (29 dB) hỗ trợ cấu trúc liên kết một đầu/hai phần/Doherty/đẩy-kéo；
• Độ lệch bù nhiệt độ tích hợp đảm bảo độ ổn định và giảm nỗ lực điều chỉnh;
• Bảo vệ ESD tích hợp, tuân thủ RoHS, độ tin cậy cao.

Ứng dụng điển hình

• Trình điều khiển trạm gốc macro Sub‑1GHz (700–1000 MHz) (dành cho bóng bán dẫn Doherty 350W/500W)；
• Bộ khuếch đại cuối cùng của tế bào nhỏ / tế bào pico 4G / 5G;
• Máy phát RF không dây riêng, an toàn công cộng, băng tần ISM 10–20W.

Định nghĩa số phần

• BLM: Nguồn điện đa năng MMIC
• 8:Quy trình LDMOS thế hệ thứ 8
• G: Trình điều khiển đa năng / loại tế bào nhỏ
• Dải tần 0710：700–1000 MHz
• S:Phiên bản tiêu chuẩn
• Định mức công suất 15:15W (P1dB)
• PB:Gói gắn nhiệt dạng phẳng SOT1211‑3