Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Việt

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Việt
Nhà> Sản phẩm> Transitor công suất RF> Doherty MMIC 2 giai đoạn> BLM9D1822-30B LDMOS AMPLEON thế hệ thứ 9
BLM9D1822-30B LDMOS AMPLEON thế hệ thứ 9
BLM9D1822-30B LDMOS AMPLEON thế hệ thứ 9
BLM9D1822-30B LDMOS AMPLEON thế hệ thứ 9
BLM9D1822-30B LDMOS AMPLEON thế hệ thứ 9
BLM9D1822-30B LDMOS AMPLEON thế hệ thứ 9
BLM9D1822-30B LDMOS AMPLEON thế hệ thứ 9
BLM9D1822-30B LDMOS AMPLEON thế hệ thứ 9

BLM9D1822-30B LDMOS AMPLEON thế hệ thứ 9

Nhận giá mới nhất
Đặt hàng tối thiểu:1
Thuộc tính sản phẩm

Mẫu sốBLM9D1822-30B BLM9D1822-30BZ

Thương hiệuAMPLEON

Đóng gói và giao hàng

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Mô tả sản phẩm
BLM9D1822-30BZ là Doherty MMIC tích hợp 2 giai đoạn LDMOS thế hệ thứ 9 của Ampleon (Hà Lan), được tối ưu hóa cho các tế bào nhỏ 4G/5G, các giai đoạn điều khiển trạm cơ sở vĩ mô và khuếch đại RF chung ở băng tần 1,8–2,2 GHz. Nó cung cấp khả năng tích hợp cao, hiệu suất băng thông rộng, hiệu quả cao và ổn định。
Thông số kỹ thuật chính
  • Hãng sản xuất: Ampleon (Hà Lan)
  • Mã sản phẩm: BLM9D1822-30BZ
  • Dải tần số: 1800–2200 MHz
  • Công suất đầu ra trung bình (PAVG): 30 W @ 28 V (Doherty)
  • Công suất đầu ra bão hòa (Psat): 39 W (điển hình)
  • Tăng công suất (Gp): 28,5 dB (điển hình)
  • Điện áp cung cấp xả (VDS): 28 V
  • Đóng gói: PQFN20 (SOT1462-1)
  • Công nghệ: LDMOS thế hệ thứ 9 (Silicon)
  • Ứng dụng: Giai đoạn trình điều khiển macro/cell nhỏ 1,8–2,2 GHz, bộ khuếch đại Doherty
  • Tình trạng: Đang sản xuất
Đặc trưng
  1. Doherty tích hợp cao: Bộ khuếch đại 2 tầng + bộ chia đầu vào + bộ kết hợp đầu ra trong một chip, đơn giản hóa thiết kế.
  2. Hoạt động băng thông rộng: 1,8–2,2 GHz bao gồm nhiều băng tần GSM/W‑CDMA/LTE/5G.
  3. Mức tăng & Hiệu suất cao: Mức tăng 28,5 dB + hiệu suất cao trong cấu hình Doherty, giảm mức tiêu thụ điện năng.
  4. Xu hướng độc lập: Kiểm soát độ lệch sóng mang/cực đại riêng biệt để có độ tuyến tính và hiệu quả tối ưu.
  5. Độ chắc chắn cao: Chịu được sự không phù hợp VSWR cao; Bảo vệ ESD tích hợp cho độ tin cậy cao.
  6. Hiệu ứng bộ nhớ thấp: Hiệu suất DPD tuyệt vời cho các tín hiệu được điều chế phức tạp.
  7. 50 Ω Phù hợp: đầu vào/đầu ra 50 Ω để tích hợp hệ thống dễ dàng.
  8. Hiệu suất nhiệt vượt trội: Gói đệm tiếp xúc PQFN có khả năng chịu nhiệt thấp và tản nhiệt tuyệt vời.
  9. Tuân thủ RoHS: Thân thiện với môi trường, tuân thủ các chỉ thị RoHS của EU.
Ứng dụng
  • 4G LTE & 5G NR Small Cells: Khuếch đại công suất cuối cùng cho hệ thống không dây băng tần 1,8–2,2 GHz.
  • Trình điều khiển trạm cơ sở macro: Trình điều khiển có mức tăng cao cho bóng bán dẫn LDMOS công suất cao.
  • Cơ sở hạ tầng không dây: Kịch bản khuếch đại RF đa sóng mang, đa tiêu chuẩn.
  • Bộ khuếch đại Doherty: Lý tưởng cho kiến ​​trúc Doherty PA nhỏ gọn, hiệu quả cao。
Nhà> Sản phẩm> Transitor công suất RF> Doherty MMIC 2 giai đoạn> BLM9D1822-30B LDMOS AMPLEON thế hệ thứ 9
Gửi yêu cầu thông tin
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Gửi