BLM8D1822S-50PBG RF MOSFET LDMOS

Các tính năng chính

• Hiệu suất RF: Hoạt động ở tần số 1805–2170 MHz, cung cấp công suất bão hòa P1dB 50W (47dBm) với mức tăng ≥28dB, điện áp tiêu hao 28V, hiệu suất điển hình ≥45%, hỗ trợ tuyến tính hóa đa sóng mang và DPD với độ tuyến tính tuyệt vời.
• Tích hợp cao: Tích hợp đầy đủ các bóng bán dẫn sóng mang/đỉnh, bộ chia công suất đầu vào, bộ kết hợp công suất đầu ra và mạch phân cực, cho phép chức năng Doherty hoàn chỉnh trong một chip duy nhất và đơn giản hóa thiết kế bên ngoài.
• Độ lệch & Bảo vệ: Độ lệch bù nhiệt độ tích hợp với điều khiển độ lệch sóng mang/cực đại độc lập; bảo vệ ESD tích hợp, độ ổn định nhiệt tuyệt vời và khả năng chịu tải không phù hợp để có độ tin cậy cao.
• Dễ thiết kế: Trở kháng đầu vào/đầu ra 50Ω giúp loại bỏ việc kết hợp phức tạp; gói tương thích với lắp ráp tự động để sản xuất hàng loạt, lý tưởng cho các tế bào nhỏ và thiết kế PA nhỏ gọn.

Ứng dụng điển hình

• Bộ khuếch đại giai đoạn cuối tế bào nhỏ 4G/5G (băng tần 1,8–2,17GHz)
• Bộ khuếch đại trình điều khiển cơ sở hạ tầng không dây 1805–2170 MHz
• Máy phát truyền thông đa sóng mang hiệu suất cao, tuyến tính cao
• Mô-đun bộ khuếch đại công suất RF nhỏ gọn (băng tần công nghiệp/ISM)