BLM7G1822S-40PBG RF FET LDMOS

Các tính năng chính

• Hiệu suất RF: Hoạt động ở tần số 1805–2170 MHz, cung cấp công suất bão hòa P1dB 40W (46dBm) với mức tăng điển hình ≥31,5dB, điện áp tiêu hao 28V (tối đa 65V), hiệu suất tiêu hao điển hình ≥26,5%, hỗ trợ tuyến tính hóa đa sóng mang và DPD với độ tuyến tính tuyệt vời.
• Tích hợp cao: Thiết kế hai phần với mạng kết hợp đầu vào/đầu ra tích hợp, trở kháng tiêu chuẩn 50Ω giúp loại bỏ việc kết hợp bên ngoài phức tạp, đơn giản hóa thiết kế PCB; mạch thiên vị bù nhiệt độ tích hợp để tăng cường độ ổn định.
• Độ tin cậy & Bảo vệ: Bảo vệ ESD tích hợp, chịu được nhiệt độ mối nối cao và tải không phù hợp, độ ổn định nhiệt tuyệt vời, tuân thủ RoHS; chân tách rời nâng cao hiệu suất băng thông video cho các ứng dụng băng rộng.
• Khả năng tương thích về thiết kế: Hỗ trợ các chế độ xung và sóng liên tục (CW), tương thích với cấu trúc liên kết mạch một đầu và Doherty đối xứng/không đối xứng, phù hợp với trình điều khiển trạm gốc băng tần 1.8GHz/2.1GHz và bộ khuếch đại giai đoạn cuối.

Ứng dụng điển hình

• Trình điều khiển RF/bộ khuếch đại giai đoạn cuối của trạm gốc 4G/5G (băng tần 1805–2170 MHz)
• Mô-đun khuếch đại công suất Doherty hiệu suất cao cho hệ thống truyền thông W-CDMA/LTE đa sóng mang
• Cơ sở hạ tầng truyền thông không dây 1,8–2,17GHz Máy phát RF
• Máy phát TV và ứng dụng RF công nghiệp (băng tần ISM)