B11G2327N71DYZ LDMOS RF MOSFET

Nhận giá mới nhất

Đặt hàng tối thiểu:

Liên hệ với bây giờ

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Đóng gói và giao hàng

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Mẫu số: B11G2327N71D B11G2327N71DYZ B11G2327N71DXZ

Thương hiệu: AMPLEON

Đóng gói và giao hàng

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Mô tả sản phẩm

B11G2327N71D là Doherty MMIC tích hợp 2 giai đoạn LDMOS

Mẫu: B11G2327N71DYZ (Mẫu cơ bản: B11G2327N71D)

Nhà sản xuất: Ampeon

Loại sản phẩm: Bộ khuếch đại công suất Mạch tích hợp vi sóng nguyên khối Doherty (MMIC) tích hợp 2 giai đoạn LDMOS (Sóng mang độc lập và Điều khiển độ lệch đỉnh)

Thông số kỹ thuật chính

Parameter	Specification
Frequency Range	2300 MHz to 2700 MHz (2.3–2.7 GHz)
Peak Output Power (3dB Compression)	48.0–49.5 dBm (approximately 63–89 W), typical 49 dBm (approximately 79.4 W)
Linear Output Power (PL=5W/37dBm)	Power Gain: 27.5–33.5 dB, typical 30.0 dB
Drain Efficiency (PL=5W/37dBm)	16–22 %, typical 19 %
Drain Efficiency (3dB Compression)	46–54 %, typical 50 %
Supply Voltage (VDS)	28 V (Standard) / 65 V (Maximum Rating)
Quiescent Current (IDq)	Carrier Path: 200 mA; Peaking Path: 100 mA (Typical)
Package	36-PQFN (12×7 mm), Leadless Plastic Package with Exposed Pad (Enhanced Thermal Dissipation)
Internal Structure	Dual-path 2-stage fully integrated design, including carrier and peaking devices, input splitter, output combiner, and pre-match network

Tính năng & Lợi ích

Kiến trúc Doherty tích hợp đầy đủ: Sử dụng công nghệ LDMOS tiên tiến của Ampleon, tích hợp tất cả các thành phần chính của bộ khuếch đại công suất Doherty vào một chip duy nhất, đơn giản hóa đáng kể thiết kế mặt trước RF của trạm gốc và giảm chi phí phát triển cũng như thời gian đưa ra thị trường.
Kiểm soát độ lệch độc lập: Hỗ trợ điều chỉnh độ lệch riêng cho đường dẫn sóng mang và đường đạt đỉnh, tối ưu hóa sự cân bằng giữa độ tuyến tính và hiệu suất trong các điều kiện tín hiệu khác nhau, phù hợp với tín hiệu 5G NR có Tỷ lệ công suất từ đỉnh đến trung bình (PAPR) cao.
Hiệu suất tuyến tính vượt trội: Tỷ lệ công suất kênh liền kề (ACPR) -46,2 dBc (điển hình) ở độ lệch 5 MHz, đáp ứng các yêu cầu nghiêm ngặt về chất lượng tín hiệu cho các trạm gốc 5G/4G và giảm độ phức tạp của Biến dạng trước kỹ thuật số (DPD).
Mật độ và hiệu suất công suất cao: Mang lại mức tăng và hiệu suất cao trên toàn bộ dải tần 2,3–2,7 GHz, với hiệu suất tiêu hao điển hình là 50% ở mức nén 3dB, giảm mức tiêu thụ năng lượng của trạm gốc và cải thiện độ tin cậy của hệ thống.
Dải điện áp hoạt động rộng: Hỗ trợ điện áp nguồn tiêu chuẩn 28V với định mức tối đa 65V, thích ứng với các yêu cầu thiết kế hệ thống điện trạm gốc khác nhau.
Gói tản nhiệt hiệu suất cao: Gói PQFN 12×7 mm với tấm đệm tiếp xúc lớn mang lại khả năng dẫn nhiệt tuyệt vời, đảm bảo hoạt động ổn định trong điều kiện tải cao.
Tuân thủ RoHS: Đáp ứng các yêu cầu chỉ thị RoHS cho các ứng dụng trên thị trường toàn cầu.

Ứng dụng

Các giai đoạn trình điều khiển bộ khuếch đại công suất RF cho các trạm cơ sở vĩ mô/vi mô 5G NR (băng tần 2,3–2,7 GHz, ví dụ: TD-LTE, 5G NR n41/n78)
Mô-đun khuếch đại công suất trạm gốc 4G LTE đa băng tần (2300–2700 MHz)
Bộ khuếch đại công suất trong hệ thống MIMO lớn (mMIMO)
Hệ thống truyền thông đa sóng mang (ví dụ: W-CDMA, LTE-A Pro)
Cơ sở hạ tầng truyền thông không dây băng thông rộng (ví dụ: CBRS, C-Band)
Internet vạn vật công nghiệp (IIoT) và Hệ thống truyền thông mạng riêng (ví dụ: 5G-Industrial)

sản phẩm nổi bật