LDMOS MOSFET RF B10G2327N55DZ

Các tính năng chính

• Hiệu suất RF: Hoạt động ở tần số 2300–2700 MHz, cung cấp công suất bão hòa P1dB 43,65W (~46,4dBm) với mức tăng thông thường ≥30dB, điện áp tiêu hao 28V (tối đa 65V), hiệu suất tiêu hao điển hình ≥35,7%, băng thông video >400 MHz, độ phẳng tăng 0,3dB, hỗ trợ tuyến tính hóa đa sóng mang và DPD với ACPR5M xuống tới -38,5dBc, đảm bảo độ tuyến tính tuyệt vời.
• Kiến trúc Doherty bất đối xứng: Tích hợp các bóng bán dẫn mang/đỉnh bất đối xứng, bộ chia đầu vào, bộ kết hợp đầu ra và mạng khớp đầu ra với trở kháng đầu ra 30Ω (tích hợp trước khớp), loại bỏ mạch ngoài phức tạp và đơn giản hóa việc thiết kế và gỡ lỗi PCB.
• Kiểm soát và bảo vệ linh hoạt: Kiểm soát độc lập sóng mang và độ lệch cực đại cho phép điều chỉnh chính xác cho các yêu cầu về công suất và tuyến tính khác nhau; bảo vệ ESD tích hợp, hệ số ổn định Rollett >1 và hệ số tăng nhiệt độ thấp 0,05dB/°C đảm bảo độ ổn định và độ tin cậy nhiệt tuyệt vời.
• Ưu điểm về Nhiệt & Đóng gói: Khả năng chịu nhiệt tiếp giáp với vỏ thấp cho phép tản nhiệt vượt trội, hỗ trợ các chế độ xung và sóng liên tục (CW), gói PQFN20 7mm×7mm nhỏ gọn lý tưởng cho các thiết kế mô-đun RF của trạm gốc bị giới hạn về không gian.

Ứng dụng điển hình

• Trình điều khiển RF và bộ khuếch đại giai đoạn cuối của trạm gốc 5G NR/LTE đa băng tần 2,3–2,7GHz
• Các mô-đun khuếch đại công suất Doherty hiệu suất cao cho các máy phát RF hệ thống MIMO lớn
• Hệ thống truyền thông đa sóng mang và cơ sở hạ tầng truyền thông không dây Mặt trước RF
• Giải pháp khuếch đại công suất trạm gốc vi mô và vĩ mô nhỏ 2,3–2,7 GHz
• Dụng cụ kiểm tra RF đa năng và ứng dụng RF công nghiệp (băng tần ISM)