BLM9D2022-08AMZ Doherty LDMOS MMIC tích hợp đầy đủ 2 tầng

LDMOS Doherty MMIC tích hợp 2 giai đoạn

Các tính năng chính

1. Kiến trúc Doherty tích hợp đầy đủ: Bộ khuếch đại sóng mang/tạo đỉnh tích hợp, bộ chia đầu vào, bộ kết hợp đầu ra và mạng phối hợp, khớp I/O 50Ω, loại bỏ các thành phần RF bên ngoài
2. Dải tần số: 2110–2170 MHz (điển hình là 2140 MHz), bao gồm các băng tần 5G NR n1/n66, 4G LTE B1/B66
3. Hiệu suất năng lượng: Công suất đầu ra 8 W (P1dB), Psat ≈8,9 W, tăng công suất 26,8 dB, điện áp nguồn 28 V
4. Hiệu suất cao và tuyến tính: Hiệu suất thoát nước điển hình 42%, ACPR giảm xuống -28 dBc, tăng độ phẳng 0,8 dB, thân thiện với DPD
5. Kiểm soát độ lệch linh hoạt: Điều chỉnh độ lệch cổng độc lập cho bộ khuếch đại sóng mang và bộ khuếch đại đỉnh, tối ưu hóa hiệu suất và độ tuyến tính ở các mức công suất khác nhau
6. Đóng gói & Độ tin cậy: Gói không chì LGA-28 7×7 mm, băng và cuộn (hậu tố Z), chịu được tải không khớp toàn pha 10:1, hoạt động ổn định trong phạm vi nhiệt độ công nghiệp
7. Hiệu suất nhiệt tuyệt vời: Điện trở nhiệt từ điểm nối đến vỏ 8,3 ~ 9,2 K/W, tấm đệm tiếp xúc với diện tích lớn giúp tản nhiệt hiệu quả, thích hợp cho hoạt động liên tục trong thời gian dài

Ứng dụng

• Bộ khuếch đại công suất cuối cùng cho cell nhỏ / pico cell ở các băng tần 5G NR n1/n66, 4G LTE B1/B66
• Các kênh truyền RF cho ăng-ten hoạt động MIMO lớn
• Bộ lặp RF đa sóng mang
• Bộ phát RF tuyến tính cho mạng riêng và thiết bị không dây công nghiệp
• Mô-đun khuếch đại RF cho Hệ thống ăng-ten phân tán (DAS)

Định nghĩa số phần

• BLM: Dòng sản phẩm MMIC tích hợp nguồn Ampeon
• 9: Công nghệ LDMOS GEN9 thế hệ thứ 9
• D: Kiến trúc Doherty đường dẫn kép
• 2022：Dải tần hoạt động 2110–2170 MHz (băng tần lõi 2.0–2.2GHz)
• 08：Xếp hạng công suất cấp 8W
• AM:Phiên bản cấp công nghiệp tiêu chuẩn
• Z: Bao bì băng & cuộn