AMPLEON B11G3338N81DXZ MOSFE LDMOS

Thông số kỹ thuật chính

• Dải tần số: 3300 MHz ~ 3800 MHz
• Điện áp cung cấp xả (VDS): 28 V (Loại.)
• Công suất đầu ra: 8 W (1 sóng mang LTE 20 MHz, PAR=7,6dB)
• Tăng công suất: 28 dB (Điển hình)
• Hiệu suất thoát nước: 40 % (Điển hình)
• Đóng gói：PQFN‑12x7‑36‑1 (36‑chì, SMT không chì)
• Trở kháng đầu vào/đầu ra: 50 Ω / 25 Ω (tích hợp trước trận đấu)
• Xu hướng: sóng mang độc lập/độ lệch cực đại; công tắc cổng tích hợp
• Các tính năng:Độ tuyến tính cao, băng thông tức thời rộng, bảo vệ ESD, tương thích DPD

Các tính năng chính

• Doherty được tích hợp đầy đủ: bao gồm bộ tách đầu vào, bộ kết hợp đầu ra, thiết bị mang/tạo đỉnh và khớp trước—giảm thiểu các thành phần bên ngoài；
• Thiết kế 3 giai đoạn + hai phần mang lại độ khuếch đại và độ tuyến tính cao cho tín hiệu PAR cao 5G NR;
• Kiểm soát sai lệch độc lập để tối ưu hóa hiệu quả/tuyến tính; công tắc cổng tích hợp cho phép các chế độ tiết kiệm năng lượng;
• Gói PQFN cung cấp hiệu suất nhiệt vượt trội và chiếm diện tích nhỏ, lý tưởng cho mMIMO mật độ cao và ăng-ten hoạt động。

Ứng dụng điển hình

• Bộ khuếch đại trình điều khiển AAU/RRU của trạm gốc macro 5G;
• Giai đoạn cuối cùng/trình điều khiển tế bào nhỏ 5G/tế bào pico;
• Bộ ăng-ten hoạt động 5G mMIMO;
• Máy phát truyền thông băng thông rộng 3,5 GHz。

Định nghĩa số phần

• B11: Dòng LDMOS MMIC 5G 3,3–5,0 GHz
• G:Dải tần 3,3–3,8GHz
• Phạm vi 3338:3300–3800 MHz
• N: Cấu hình Doherty
• 81D: Định mức công suất 8W, 3 giai đoạn, phiên bản D