Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Việt

WhatsApp:
+86 17287775445

Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.
Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.
Select Language
Việt
Nhà> Sản phẩm> Transitor công suất RF> Doherty MMIC 2 giai đoạn
Danh mục sản phẩm

Gửi yêu cầu thông tin

Doherty MMIC 2 giai đoạn

(Total 37 Products)

  • Transitor RF MOSFET BLM10D1822-61ABG

    Transitor RF MOSFET BLM10D1822-61ABG

    Nhận giá mới nhất

    Thương hiệu:AMPLEON

    Đặt hàng tối thiểu:1

    Model No:BLM10D1822-61ABGZ BLM10D1822-61ABGY

    Transitor RF MOSFET BLM10D1822-61ABG Dải tần 1800to2200 MHz Chip điều khiển băng thông rộng 1800to2200mhz Mã sản phẩm: BLM10D1822-61ABG Nhà sản xuất:Ampleon Loại thiết bị:LDMOS thế hệ thứ 10, MMIC công suất tuyến tính cao tích hợp kênh đôi Dải tần:...

    Liên hệ với bây giờ
  • BLM2425M7S60PY LDMOS MMIC công suất 2 tầng

    BLM2425M7S60PY LDMOS MMIC công suất 2 tầng

    Nhận giá mới nhất

    Thương hiệu:AMPLEON

    Đặt hàng tối thiểu:1

    Model No:BLM2425M7S60P BLM2425M7S60PY

    BLM2425M7S60P là bóng bán dẫn công suất LDMOS RF 60W do Ampleon ra mắt. Áp dụng quy trình RF thế hệ M7, nó được phát triển đặc biệt cho các ứng dụng công suất cao sóng liên tục (CW) ở băng tần 2400–2500 MHz (băng tần ISM 2,45 GHz). Nó tích hợp kết...

    Liên hệ với bây giờ
  • BLM8G0710S-30PBG TÍN HIỆU HIỆU ỨNG TRƯỜNG NHỎ RF

    BLM8G0710S-30PBG TÍN HIỆU HIỆU ỨNG TRƯỜNG NHỎ RF

    Nhận giá mới nhất

    Thương hiệu:AMPLEON

    Đặt hàng tối thiểu:1

    Model No:BLM8G0710S-30PBG

    Mã sản phẩm: BLM8G0710S-30PBG Nhà sản xuất:Ampleon Loại thiết bị:LDMOS thế hệ thứ 8, MMIC công suất 2 tầng kép, 700–1000 MHz dưới 1GHz, trình điều khiển tuyến tính cao cấp 30W/bộ khuếch đại cuối cùng tế bào nhỏ (phiên bản dẫn đầu Gull-wing của...

    Liên hệ với bây giờ
  • BLM9D2022-08AMZ Doherty LDMOS MMIC tích hợp đầy đủ 2 tầng

    BLM9D2022-08AMZ Doherty LDMOS MMIC tích hợp đầy đủ 2 tầng

    Nhận giá mới nhất

    Thương hiệu:AMPLEON

    Đặt hàng tối thiểu:1

    Model No:BLM9D2022-08AMZ

    Doherty MMIC 2 giai đoạn LDMOS Doherty MMIC tích hợp 2 giai đoạn BLM9D2022-08AMZ là bộ khuếch đại công suất Doherty LDMOS MMIC tích hợp đầy đủ 2 tầng của Ampleon, được chế tạo trên công nghệ Gen9 LDMOS, được tối ưu hóa cho dải tần 2110–2170 MHz (ví...

    Liên hệ với bây giờ
  • B10G3438N55D B10G3438N55DZ LDMOS MOSFET RF

    B10G3438N55D B10G3438N55DZ LDMOS MOSFET RF

    Nhận giá mới nhất

    Thương hiệu:AMPLEON

    Đặt hàng tối thiểu:1

    Model No:B10G3438N55D B10G3438N55DZ

    Doherty MMIC 2 giai đoạn Model: B10G3438N55D Nhà sản xuất: Ampeon Loại sản phẩm: Bộ khuếch đại công suất Doherty MMIC RF bất đối xứng 3 tầng 50V LDMOS thế hệ thứ 10, được tối ưu hóa cho băng tần 3,4–3,8GHz (bao phủ băng tần lõi 5G NR n78 và băng tần...

    Liên hệ với bây giờ
  • BLM9D1819-08AMZ Doherty MMIC tích hợp đầy đủ 2 giai đoạn

    BLM9D1819-08AMZ Doherty MMIC tích hợp đầy đủ 2 giai đoạn

    Nhận giá mới nhất

    Thương hiệu:AMPLEON

    Đặt hàng tối thiểu:1

    Model No:BLM9D1819-08AMZ

    Doherty MMIC 2 giai đoạn Mã sản phẩm: BLM9D1819-08AMZ (còn được gọi là BLM9D1819-08AM; hậu tố Z biểu thị bao bì dạng băng và cuộn) Nhà sản xuất: Ampeon Loại thiết bị: LDMOS thế hệ thứ 9, Doherty MMIC tích hợp đầy đủ 2 giai đoạn Ứng dụng mục tiêu: Bộ...

    Liên hệ với bây giờ
  • AMPLEON B11G3338N81DXZ MOSFE LDMOS

    AMPLEON B11G3338N81DXZ MOSFE LDMOS

    Nhận giá mới nhất

    Thương hiệu:ampleon

    Đặt hàng tối thiểu:1

    Model No:B11G3338N81DXZ

    Doherty MMIC 2 giai đoạn Mã sản phẩm:B11G3338N81D Nhà sản xuất:Ampleon Loại thiết bị:Doherty MMIC tích hợp đầy đủ 3 phần kép, sử dụng công nghệ LDMOS tiên tiến, được tối ưu hóa cho bộ khuếch đại trình điều khiển macro/tế bào nhỏ 5G 3,3–3,8 GHz。...

    Liên hệ với bây giờ
  • B10G2022N10DLZ 2 tầng 10W Doherty MMIC tích hợp đầy đủ

    B10G2022N10DLZ 2 tầng 10W Doherty MMIC tích hợp đầy đủ

    Nhận giá mới nhất

    Thương hiệu:AMPLEON

    Đặt hàng tối thiểu:1

    Model No:B10G2022N10DLZ

    Doherty MMIC 2 giai đoạn Mã sản phẩm:B10G2022N10DL Nhà sản xuất:Ampleon Loại thiết bị: Doherty MMIC (LDMOS) tích hợp đầy đủ 2 tầng 10W, 2110–2170 MHz (5G n1/4G B1), bộ khuếch đại cuối cùng cell nhỏ / mMIMO, giải pháp hiệu suất cao tích hợp...

    Liên hệ với bây giờ
  • BLM9D1822-30B LDMOS AMPLEON thế hệ thứ 9

    BLM9D1822-30B LDMOS AMPLEON thế hệ thứ 9

    Nhận giá mới nhất

    Thương hiệu:AMPLEON

    Đặt hàng tối thiểu:1

    Model No:BLM9D1822-30B BLM9D1822-30BZ

    BLM9D1822-30BZ là Doherty MMIC tích hợp 2 giai đoạn LDMOS thế hệ thứ 9 của Ampleon (Hà Lan), được tối ưu hóa cho các tế bào nhỏ 4G/5G, các giai đoạn điều khiển trạm cơ sở vĩ mô và khuếch đại RF chung ở băng tần 1,8–2,2 GHz. Nó cung cấp khả năng tích...

    Liên hệ với bây giờ
  • BLM8G0710S-15PB Công suất kép 2 tầng MMIC

    BLM8G0710S-15PB Công suất kép 2 tầng MMIC

    Nhận giá mới nhất

    Thương hiệu:ampleon

    Đặt hàng tối thiểu:1

    Model No:BLM8G0710S-15PB

    Mã sản phẩm: BLM8G0710S-15PB Nhà sản xuất:Ampleon Loại thiết bị:LDMOS thế hệ thứ 8, MMIC công suất 2 tầng/hai phần, 700–1000 MHz dưới 1GHz, trình điều khiển mục đích chung loại 15W/bộ khuếch đại cuối cùng của ô nhỏ. Thông số kỹ thuật chính...

    Liên hệ với bây giờ
  • B11G1822N60DXZ AMPLEON MMIC LDMOS

    B11G1822N60DXZ AMPLEON MMIC LDMOS

    Nhận giá mới nhất

    Thương hiệu:AMPLEON

    Đặt hàng tối thiểu:1

    Model No:B11G1822N60DXZ B11G1822N60DYZ

    Mã sản phẩm:B11G1822N60D Nhà sản xuất:Ampleon Loại thiết bị:LDMOS, Doherty MMIC tích hợp đầy đủ 2 phần 2 giai đoạn, 1,8–2,2 GHz, công suất tuyến tính 60 W, trạm cơ sở macro / bộ khuếch đại trình điều khiển đa năng 5G mMIMOAmpleon. Thông số kỹ thuật...

    Liên hệ với bây giờ
  • LDMOS MOSFET RF B10G2327N55DZ

    LDMOS MOSFET RF B10G2327N55DZ

    Nhận giá mới nhất

    Thương hiệu:AMPLEON

    Đặt hàng tối thiểu:1

    Model No:B10G2327N55DZ B10G2327N55D

    B10G2327N55D là bộ khuếch đại Doherty MMIC bất đối xứng tích hợp đầy đủ 2 giai đoạn dựa trên công nghệ LDMOS hiện đại của Ampleon, được tối ưu hóa cho các trạm gốc 5G NR/LTE đa băng tần 2300–2700 MHz (2,3–2,7 GHz), hệ thống MIMO lớn và bộ phát RF...

    Liên hệ với bây giờ
  • BLM8D1822S-50PBG RF MOSFET LDMOS

    BLM8D1822S-50PBG RF MOSFET LDMOS

    Nhận giá mới nhất

    Thương hiệu:AMPLEON

    Đặt hàng tối thiểu:1

    Model No:BLM8D1822S-50PB BLM8D1822S-50PBG BLM8D1822S-50PBGY

    BLM8D1822S-50PBG là bộ khuếch đại công suất Doherty MMIC tích hợp đầy đủ hai giai đoạn dựa trên công nghệ GEN8 LDMOS của Ampleon, được tối ưu hóa cho các tế bào nhỏ 4G/5G 1805–2170 MHz (1,8–2,17GHz), trình điều khiển đa năng và bộ khuếch đại giai...

    Liên hệ với bây giờ

Bước 1

Doherty MMIC 2 giai đoạn

Doherty MMIC 2 giai đoạn là mạch vi sóng nguyên khối tích hợp áp dụng khuếch đại hai giai đoạn kết hợp với kiến ​​trúc Doherty. Mạch này đạt hiệu suất cao trong khi vẫn duy trì độ tuyến tính tuyệt vời trên dải công suất rộng. Thiết kế chip nhỏ gọn giúp đơn giản hóa bố cục mạch và cắt giảm chi phí lắp ráp hệ thống.
VUI LÒNG ĐỂ LẠI TIN NHẮN CHO CHÚNG TÔI
CHÚNG TÔI SẼ LIÊN HỆ VỚI BẠN
Gửi yêu cầu ngay bây giờ
Danh sách sản phẩm liên quan
Nhà> Sản phẩm> Transitor công suất RF> Doherty MMIC 2 giai đoạn
Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.
WhatsApp:
+86 17287775445
Thư điện tử:
870630590@qq.com
Trang web:
https://vi.ldmoscn.com
Bản quyền © 2026 Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd. tất cả các quyền.
Vui lòng để lại cho chúng tôi một tin nhắn

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Tải Tệp đính kèm
Gửi