Tất cả sản phẩm

Transistor LDMOS công suất BLF0910H9LS600 BLF0910H9LS600U

Model: BLF0910H9LS600 Nhà sản xuất: Ampeon Loại sản phẩm: Transitor công suất LDMOS một đầu, được tối ưu hóa cho băng tần ISM 902–928 MHz (tần số lõi cho các ứng dụng Công nghiệp, Khoa học và Y tế, bao phủ tần số truyền thông không dây và sưởi ấm...

C4H27W400AVZ MOSFET RF 50V

Mẫu: C4H27W400AV (Mẫu cơ sở: C4H27W400A) Nhà sản xuất: Ampeon Loại sản phẩm: Transitor công suất RF Doherty không đối xứng đóng gói Gallium Nitride (GaN) (Được tối ưu hóa cho các ứng dụng trạm gốc băng thông rộng 2,3–2,69 GHz) Thông số kỹ thuật...

Transitor công suất RF Gallium Nitride C4H2327N110AZ

Model: C4H2327N110A (Số bộ phận đầy đủ: C4H2327N110AX/C4H2327N110AZ) Nhà sản xuất: Ampeon Loại sản phẩm: Transistor công suất RF Gallium Nitride (GaN) (Kiến trúc Doherty, Thiết kế cổng kép)Ampleon Thông số kỹ thuật chính Tính năng & Lợi ích Kiến...

LDMOS MOSFET RF B10G2327N55DZ

B10G2327N55D là bộ khuếch đại Doherty MMIC bất đối xứng tích hợp đầy đủ 2 giai đoạn dựa trên công nghệ LDMOS hiện đại của Ampleon, được tối ưu hóa cho các trạm gốc 5G NR/LTE đa băng tần 2300–2700 MHz (2,3–2,7 GHz), hệ thống MIMO lớn và bộ phát RF...

C4H27F400AV Công suất đầu ra cao 400W mức tăng cao

C4H27F400AVZ là bóng bán dẫn điện Doherty RF không đối xứng được đóng gói dựa trên công nghệ Gallium Nitride (GaN) tiên tiến của Ampleon, được tối ưu hóa cho các trạm gốc macro băng tần trung bình 5G NR 2496–2690 MHz (2,5–2,7 GHz), hệ thống MIMO lớn...

LDMOS MOSFET RF BLC8G21LS-160AVZ

BLC8G21LS-160AVZ là bóng bán dẫn công suất LDMOS RF kênh N kép dựa trên công nghệ Gen8 LDMOS của Ampleon, được tối ưu hóa cho các trạm gốc 4G/5G 1805–2025 MHz (1,8–2,025GHz), hệ thống liên lạc đa sóng mang và bộ khuếch đại công suất Doherty hiệu...

BLM8D1822S-50PBG RF MOSFET LDMOS

BLM8D1822S-50PBG là bộ khuếch đại công suất Doherty MMIC tích hợp đầy đủ hai giai đoạn dựa trên công nghệ GEN8 LDMOS của Ampleon, được tối ưu hóa cho các tế bào nhỏ 4G/5G 1805–2170 MHz (1,8–2,17GHz), trình điều khiển đa năng và bộ khuếch đại giai...

LDMOS MOSFET RF BLC9G22LS-160VTZ

BLC9G22LS-160VT là bóng bán dẫn công suất RF LDMOS kênh N của Ampleon, được tối ưu hóa cho cơ sở hạ tầng không dây băng tần 2,2 GHz, bộ phát TV và bộ khuếch đại công suất RF công nghiệp. Nằm trong gói SOT1271-2, nó có công suất cao, độ lợi cao và độ...

MLCC chính xác cho hệ thống RF và vi sóng

DLC70E RF và lò vi sóng MLCC Với hệ số Q cao, ESR/ESL thấp và độ tin cậy cao, sản phẩm này chịu được dòng điện, điện áp và công suất RF cao. Nó được ứng dụng rộng rãi để bỏ qua, ghép nối, điều chỉnh, kết hợp trở kháng và chặn DC, lý tưởng cho bộ...

Tụ gốm công suất cao RF

Tụ gốm công suất cao DLC70G Tụ gốm công suất RF cao có ESR thấp, tổn thất thấp và hiệu suất tần số cao vượt trội, có trở kháng thấp, sinh nhiệt thấp và điện trở dòng cao. Chúng cung cấp các đặc tính nhiệt độ ổn định, điện trở đáng tin cậy và cách...

Tụ gốm công suất cao 5000v

Tụ gốm công suất cao DLC70F Tụ gốm công suất RF cao có điện trở nối tiếp tương đương thấp, tổn thất điện năng thấp và đặc tính tần số cao vượt trội. Với trở kháng RF thấp và khả năng sinh nhiệt thấp, chúng có thể chịu được dòng điện tăng vọt và duy...

500v RF và lò vi sóng MLCC

DLC70B RF và lò vi sóng MLCC Với hệ số Q cao, công suất cao, ESR/ESL thấp, độ ồn thấp, tần số tự cộng hưởng cao và độ tin cậy cao, sản phẩm này được ứng dụng rộng rãi để điều chỉnh, bỏ qua, ghép nối, phản hồi, chặn DC và kết hợp trở kháng trong các...

Tụ gốm nhiều lớp RF và vi sóng tiên tiến

DLC70C RF và lò vi sóng MLCC Tụ điện dòng DLC70P mang lại độ tin cậy cao với hiệu suất RF vượt trội, bao gồm giá trị Q cao, dòng điện/điện áp RF cao, công suất RF cao và ESR/ESL thấp. Nó lý tưởng cho các ứng dụng như bỏ qua, ghép nối, điều chỉnh,...

250v RF và lò vi sóng MLCC

DLC70D RF và lò vi sóng MLCC Hệ số Q cao, công suất cao, ESR/ESL thấp, độ ồn thấp, tần số tự cộng hưởng cao và độ tin cậy cao. Các ứng dụng chức năng điển hình: điều chỉnh, bỏ qua, ghép nối, phản hồi, chặn DC và kết hợp trở kháng. Các ứng dụng mạch...

150V 300V RF và lò vi sóng MLCC

DLC70A RF và lò vi sóng MLCC Giá trị Q cao, công suất cao, ESR/ESL thấp và độ ồn thấp với tần số tự cộng hưởng và độ tin cậy cao, sản phẩm này được sử dụng rộng rãi để điều chỉnh, bỏ qua, ghép nối, phản hồi, cách ly DC và kết hợp trở kháng trong các...

RF và lò vi sóng công suất cao MLCC

DLC70P(0603) RF và lò vi sóng MLCC Tính năng sản phẩm: Giá trị Q cao, công suất cao, ESR/ESL thấp, độ ồn thấp, tần số tự cộng hưởng cao, độ tin cậy cao. Ứng dụng sản phẩm: Các ứng dụng chức năng điển hình: điều chỉnh, bỏ qua, ghép nối, phản hồi,...

RF và vi sóng MLCC Dòng điện/điện áp tần số cao

DLC70 Series RF và lò vi sóng MLCC Tính năng sản phẩm Giá trị Q cao, dòng điện/điện áp RF cao, công suất RF cao, ESR/ESL thấp, độ ồn thấp, độ tin cậy cao. Bề mặt tụ điện đầu vào có một lớp phủ đặc biệt, có thể ngăn ngừa phóng điện hồ quang và phóng...

Tụ điện môi gốm vi sóng

Tụ gốm ESR, RF/MW cực thấp DLC60D(0805) Tự hào với ESR cực thấp đặc biệt, điện áp hoạt động cao, hệ số công suất cao và tần số tự cộng hưởng cao, sản phẩm này là lựa chọn lý tưởng cho các hệ thống liên lạc VHF/HF/Vi sóng, trạm gốc liên lạc di động,...

Tụ gốm RF chính xác

Tụ điện điện môi gốm ESR, RF/vi sóng cực thấp DLC60P(0603) Giải phóng hiệu suất cao nhất trong hệ thống liên lạc VHF, HF và vi sóng của bạn bằng các tụ điện tiên tiến của chúng tôi. Được thiết kế cho các ứng dụng như trạm cơ sở liên lạc di động và...

Tụ điện điện môi gốm ESR thấp

Tụ điện điện môi bằng gốm sứ có ESR cực thấp, RF/vi sóng dòng DLC60 Cách mạng hóa thiết kế RF của bạn với công nghệ tụ điện tiên tiến của chúng tôi. Được thiết kế cho các hệ thống liên lạc VHF, HF và vi sóng có yêu cầu cao, bao gồm các trạm gốc di...

Tụ điện RF băng rộng hiệu suất cao cho truyền thông

0201BB(.020"x.010")0201BB104KW160 Tụ điện RF băng rộng Tính năng sản phẩm Dải tần hoạt động điển hình: 16KHz (-3dB) đến > 40GHz; Mất chèn: < 1dB (giá trị điển hình); 16WVDC; Chúng tôi có thể cung cấp đầu mạ thiếc và đầu mạ vàng. Số...

Tụ gốm RF tiên tiến với ESR tối thiểu

Tụ điện điện môi gốm ESR, RF/MW cực thấp DLC75B(1111) Được thiết kế cho các ứng dụng RF và vi sóng đòi hỏi khắt khe, dòng tụ điện DLC75B cung cấp ESR cực thấp, điện áp làm việc cao, khả năng xử lý công suất RF cao và tần số tự cộng hưởng cao. Điều...

Tụ gốm RF ESR cực thấp

Tụ điện điện môi gốm ESR, RF/MW cực thấp DLC75R(0708) Tính năng sản phẩm: Giá trị ESR cực thấp, điện áp hoạt động cao, công suất RF cao, tần số tự cộng hưởng cao. Ứng dụng sản phẩm: Ứng dụng mạch: Mạng lọc công suất cao, bộ kết hợp, bộ ghép, mạng...

Tụ điện RF ESR cực thấp DLC75B0R3BW501XT

0,3PF 1210 ± 0,1% 500V Tụ điện RF ESR cực thấp DLC75B0R3BW501XT là thành phần hiệu suất cao dành cho các ứng dụng đòi hỏi sự ổn định, độ tin cậy và độ chính xác. ESR cực thấp của nó giảm thiểu hiện tượng mất tín hiệu và tăng hiệu suất, khiến nó trở...