C4H27W400AVZ MOSFET RF 50V

Nhận giá mới nhất

Đặt hàng tối thiểu:

Liên hệ với bây giờ

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Đóng gói và giao hàng

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Mẫu số: C4H27W400AVZ C4H27W400AVY

Thương hiệu: AMPLEON

Đóng gói và giao hàng

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Mô tả sản phẩm

Mẫu: C4H27W400AV (Mẫu cơ sở: C4H27W400A)

Nhà sản xuất: Ampeon

Loại sản phẩm: Transitor công suất RF Doherty không đối xứng đóng gói Gallium Nitride (GaN) (Được tối ưu hóa cho các ứng dụng trạm gốc băng thông rộng 2,3–2,69 GHz)

Thông số kỹ thuật chính

Parameter	Specification
Frequency Range	2300 MHz to 2690 MHz (2.3–2.69 GHz), covering 5G NR n41/n78 and other key bands
Peak Output Power (P1dB)	400 W (Continuous Wave, CW mode), typical 47.2 dBm
Typical Power Gain	15.4 dB (Typical)
Typical Drain Efficiency	53.7 % (Typical, in Doherty Configuration), up to 56.5 % maximum
Supply Voltage (VDS)	50 V (Standard) / 48 V (Typical Application)
Quiescent Drain Current (IDq)	200 mA (Typical)
Package Type	SOT1249B / SOT1275-1 (Flanged, Enhanced Thermal Dissipation)
Special Features	Asymmetric Doherty architecture, integrated input splitter and output combiner, optimized DPD performance
Linearity Performance	Power Ratio: -27 dBc (Typical)

Tính năng & Lợi ích

Kiến trúc Doherty bất đối xứng băng thông rộng: Được thiết kế dành riêng cho dải tần siêu rộng 2,3–2,69 GHz, sử dụng công nghệ Doherty bất đối xứng để cân bằng công suất và hiệu suất cao trên toàn bộ băng tần, lý tưởng cho các ứng dụng trạm gốc đa băng tần 5G NR.
Hiệu suất trước biến dạng kỹ thuật số (DPD) vượt trội: Được tối ưu hóa cho tín hiệu 5G NR có Tỷ lệ công suất từ đỉnh đến trung bình (PAPR) cao, cho phép tuyến tính vượt trội sau khi hiệu chỉnh DPD nhằm đáp ứng các yêu cầu nghiêm ngặt về Tỷ lệ công suất kênh lân cận (ACPR) cho các trạm gốc và giảm độ phức tạp trong thiết kế hệ thống.
Mật độ công suất cực cao: Cung cấp công suất đầu ra tối đa 400 W trong một gói nhỏ gọn với mật độ công suất dẫn đầu ngành, giảm đáng kể kích thước của mặt trước RF của trạm gốc và giảm chi phí hệ thống.
Chuyển đổi năng lượng hiệu suất cao: Hiệu suất tiêu hao điển hình là 53,7% với mức tối đa là 56,5%, giảm đáng kể mức tiêu thụ năng lượng của trạm gốc và cải thiện độ tin cậy của hệ thống cũng như tính kinh tế vận hành.
Thiết kế điện dung đầu ra thấp: Tăng cường đáp ứng tần số và hiệu quả trong các ứng dụng Doherty, cải thiện khả năng thích ứng băng thông rộng và tăng hiệu suất tổng thể của hệ thống.
Gói có độ tin cậy cao: Gói SOT có mặt bích cung cấp khả năng dẫn nhiệt tuyệt vời, đảm bảo hoạt động ổn định trong điều kiện tải cao và kéo dài tuổi thọ của thiết bị.
Tuân thủ RoHS: Đáp ứng các yêu cầu chỉ thị RoHS cho các ứng dụng trên thị trường toàn cầu.

Ứng dụng

Bộ khuếch đại công suất RF cho các trạm cơ sở vĩ mô/vi mô 5G NR (băng tần 2,3–2,69 GHz, ví dụ: n41/n78)
Mô-đun khuếch đại công suất trạm gốc 4G LTE đa băng tần (2300–2690 MHz)
Bộ khuếch đại công suất trong hệ thống MIMO lớn (mMIMO)
Hệ thống truyền thông đa sóng mang (ví dụ: W-CDMA, LTE-A Pro)
Cơ sở hạ tầng truyền thông không dây băng thông rộng (ví dụ: CBRS, C-Band)
Internet vạn vật công nghiệp (IIoT) và Hệ thống truyền thông mạng riêng (ví dụ: 5G-Industrial)

sản phẩm nổi bật