Transitor công suất RF Gallium Nitride C4H2350N10Z

Transitor công suất RF Gallium Nitride C4H2350N10Z

Nhận giá mới nhất

Đặt hàng tối thiểu:

Liên hệ với bây giờ

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Đóng gói và giao hàng

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Mẫu số: C4H2350N10Z C4H2350N10Y C4H2350N10

Thương hiệu: AMPLEON

Đóng gói và giao hàng

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Mô tả sản phẩm

Mẫu: C4H2350N10Z (Mẫu cơ bản: C4H2350N10)

Nhà sản xuất: Ampeon

Loại sản phẩm: Transistor công suất RF Gallium Nitride (GaN) (Thiết kế một cổng, được tối ưu hóa cho các ứng dụng băng thông rộng)

Thông số kỹ thuật chính

Parameter	Specification
Frequency Range	2300 MHz to 5000 MHz (2.3–5 GHz)
Peak Output Power (P1dB)	10 W (Continuous Wave, CW mode)
Typical Power Gain	18.9 dB
Typical Drain Efficiency	65 % (Typical, in Doherty Configuration)
Supply Voltage (VDS)	50 V
Quiescent Drain Current (IDq)	20 mA (Typical)
Package	DFN-6 (4.5×4.6 mm), Leadless Plastic Package with Exposed Pad (Enhanced Thermal Dissipation)
Pin Configuration	Single-Gate (gate), Single-Drain (drain), Source-Grounded (source) design

Tính năng & Lợi ích

Vùng phủ sóng băng thông siêu rộng: Dải tần siêu rộng 2,3–5 GHz, hỗ trợ đầy đủ các ứng dụng trạm gốc 5G NR Sub-6 GHz và 4G LTE đa băng tần, giúp đơn giản hóa đáng kể thiết kế hệ thống đa băng tần.
Hiệu suất trước biến dạng kỹ thuật số (DPD) vượt trội: Được tối ưu hóa cho tín hiệu Tỷ lệ công suất từ đỉnh đến trung bình (PAPR) cao, cho phép tuyến tính vượt trội sau khi hiệu chỉnh DPD nhằm đáp ứng các yêu cầu nghiêm ngặt về Tỷ lệ công suất kênh liền kề (ACPR) cho trạm gốc 5GAmpleon.
Mật độ và hiệu suất năng lượng cao: Công nghệ GaN mang lại mật độ năng lượng cao hơn với hiệu suất tiêu hao điển hình là 65% trong cấu hình Doherty, giảm mức tiêu thụ năng lượng của trạm gốc và cải thiện độ tin cậy của hệ thốngAmpleon.
Thiết kế điện dung đầu ra thấp: Tăng cường đáp ứng tần số và hiệu quả trong các ứng dụng băng thông rộng, cải thiện khả năng thích ứng băng thông của mạch Doherty và tăng hiệu suất hệ thống tổng thểAmpleon.
Gói tản nhiệt nhỏ gọn và hiệu suất cao: Gói DFN-6 với miếng đệm hở mang lại khả năng dẫn nhiệt tuyệt vời, đảm bảo hoạt động ổn định trong điều kiện tải cao đồng thời tiết kiệm không gian PCB.
Tuân thủ RoHS: Đáp ứng các yêu cầu chỉ thị RoHS cho các ứng dụng trên thị trường toàn cầu.

Ứng dụng

Bộ khuếch đại công suất RF cho các trạm cơ sở vĩ mô/vi mô 5G NR dưới 6 GHz (phạm vi phủ sóng đầy đủ băng tần 2,3–5 GHz)
Mô-đun khuếch đại công suất trạm gốc 4G LTE đa băng tần
Hệ thống truyền thông đa sóng mang (ví dụ: W-CDMA, LTE-A Pro)
Cơ sở hạ tầng truyền thông không dây băng thông rộng (ví dụ: CBRS, C-Band)
Internet vạn vật công nghiệp (IIoT) và Hệ thống truyền thông mạng riêng (ví dụ: 5G-Industrial)
Nguồn tín hiệu RF trong thiết bị đo lường và kiểm tra

sản phẩm nổi bật