Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Việt

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Việt
Nhà> Sản phẩm> Transitor công suất RF> Transistor công suất GaN> Transitor công suất RF C4H24F550AVZ Gallium Nitride
Transitor công suất RF C4H24F550AVZ Gallium Nitride
Transitor công suất RF C4H24F550AVZ Gallium Nitride
Transitor công suất RF C4H24F550AVZ Gallium Nitride
Transitor công suất RF C4H24F550AVZ Gallium Nitride
Transitor công suất RF C4H24F550AVZ Gallium Nitride
Transitor công suất RF C4H24F550AVZ Gallium Nitride

Transitor công suất RF C4H24F550AVZ Gallium Nitride

Nhận giá mới nhất
Đặt hàng tối thiểu:1
Thuộc tính sản phẩm

Mẫu sốC4H24F550AV C4H24F550AVZ

Thương hiệuAMPLEON

Đóng gói và giao hàng

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Mô tả sản phẩm
Transitor công suất GaN C4H24F550AVZ
Model: C4H24F550AV (Số bộ phận đầy đủ: C4H24F550AVY)
Nhà sản xuất: Ampeon
Loại sản phẩm: Transitor công suất RF Gallium Nitride (GaN) (Kiến trúc Doherty bất đối xứng)

Thông số kỹ thuật chính

Parameter Specification
Frequency Range 2300 MHz to 2400 MHz (2.3–2.4 GHz)
Peak Output Power 550 W (Continuous Wave, CW mode)
Typical Gain 16.2 dB
Supply Voltage 48 V
Package SOT1249B (Air Cavity Ceramic Package)

Tính năng & Lợi ích

  • Thiết kế Doherty được tối ưu hóa cho trạm gốc: Được xây dựng trên kiến ​​trúc Doherty bất đối xứng, được điều chỉnh cho tín hiệu PAPR (Tỷ lệ công suất đỉnh đến trung bình) cao trong các trạm gốc vĩ mô 5G/4G (ví dụ: 5G NR), cân bằng giữa hiệu suất cao và độ tuyến tính.
  • Khả năng tương thích tuyến tính & DPD vượt trội: Cung cấp khả năng Biến dạng trước kỹ thuật số (DPD) tuyệt vời, cho phép nâng cao tuyến tính của hệ thống sau khi hiệu chỉnh DPD để đáp ứng các tiêu chuẩn truyền thông nghiêm ngặt.
  • Tối ưu hóa hiệu suất băng thông rộng: Điện dung đầu ra thấp giúp cải thiện băng thông và hiệu quả trong cấu hình Doherty, hỗ trợ nhu cầu liên lạc băng rộng ở băng tần 2,3–2,4 GHz.
  • Bao bì có độ tin cậy cao: Bao bì bằng gốm có khoang khí mang lại khả năng tản nhiệt vượt trội và độ bền môi trường, đảm bảo hoạt động ổn định trong các tình huống tải trọng cao dài hạn như trạm gốc.

Ứng dụng

  • Bộ khuếch đại công suất RF cho các trạm gốc macro 5G/4G (băng tần 2,3–2,4 GHz, ví dụ: TD-LTE, 5G NR)
  • Máy phát truyền thông băng thông rộng
  • Hệ thống truyền thông công nghiệp yêu cầu khuếch đại RF công suất cao, hiệu quả cao
Nhà> Sản phẩm> Transitor công suất RF> Transistor công suất GaN> Transitor công suất RF C4H24F550AVZ Gallium Nitride
Gửi yêu cầu thông tin
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Gửi