Tất cả sản phẩm

Tụ điện RF ESR cực thấp DLC75B0R2BW501XT

0,2PF 1210 ± 0,1% 500V Tụ điện RF ESR cực thấp DLC75B0R2BW501XT là linh kiện điện tử hiệu suất cao được thiết kế cho các ứng dụng tần số vô tuyến (RF) tiên tiến, có độ ổn định đặc biệt, tổn thất năng lượng tối thiểu và hoạt động đáng tin cậy trong...

Tụ điện RF ESR cực thấp DLC75B0R1BW501XT

Tụ điện RF ESR cực thấp DLC75B0R1BW501XT là thành phần hiệu suất cao được thiết kế cho các ứng dụng tần số cao đòi hỏi đặc tính điện và độ tin cậy đặc biệt. Ưu điểm cốt lõi của nó bao gồm điện trở nối tiếp tương đương cực thấp (ESR) và hệ số chất...

Tụ điện RF băng rộng ROSA/TOSA

0402BB(.040"x.020")0402BB104KW500 Tụ điện RF băng rộng Dòng tụ điện này có dải tần hoạt động cực rộng, với dải tần điển hình từ 16 kHz (-3 dB) đến 50 GHz. Nó mang lại tổn thất chèn điển hình dưới 1,2 dB ở 50 WVDC. Sản phẩm có sẵn với các...

Tụ RF băng rộng với hiệu suất tuyệt vời

Tụ điện RF băng rộng 01005BB(.010" x.005") Tổng quan về sản phẩm Được phát triển bởi Dalicap Technology Co., Ltd., tụ điện băng thông rộng dòng BB có bốn kích cỡ vỏ (tính bằng inch): 01005, 0201, 0402 và 0805, với các giá trị điện dung là...

BLC9H10XS-350A MOSFET RF LDMOS 50V SOT1273

Mã sản phẩm:BLC9H10XS-350A Nhà sản xuất:Ampleon Loại thiết bị:LDMOS thế hệ thứ 9, bóng bán dẫn công suất Doherty RF không đối xứng 350 W, được tối ưu hóa cho bộ khuếch đại cuối cùng của trạm gốc macro 4G/5G tần số 617–960 MHz phụ 1GHz. Thông số kỹ...

BLC9H10XS-500A RF MOSFET LDMOS 48V SOT1273-1

Mã sản phẩm:BLC9H10XS-500A Nhà sản xuất:Ampleon Loại thiết bị:LDMOS thế hệ thứ 9, bóng bán dẫn công suất Doherty RF không đối xứng 500 W, được tối ưu hóa cho bộ khuếch đại cuối cùng của trạm gốc macro 4G/5G tần số 617–960 MHz phụ 1GHz. Thông số kỹ...

Tụ gốm công suất RF cao Giá trị Q cao

Tụ gốm công suất cao DLC70 Tính năng sản phẩm: Giá trị Q cao, dòng điện/điện áp RF cao, công suất RF cao, ESR/ESL thấp, độ ồn thấp. Ứng dụng sản phẩm: Bộ khuếch đại công suất RF cao, mạng lọc công suất cao, giải điều chế ăng-ten, v.v. Độ tin cậy...