LDMOS MOSFET RF BLC9G22LS-160VTZ

Các tính năng chính

• Hiệu suất RF: Hoạt động ở tần số 2000–2500 MHz, cung cấp công suất đầu ra thông thường 160W với mức tăng ≥13dB, điện áp tiêu hao 65V, thích hợp cho khuếch đại đa sóng mang ở băng tần 2,2GHz.
• Cấu trúc & Đóng gói: Công nghệ LDMOS dựa trên silicon, gói SOT1271-2 (kim loại khoang khí 7 chân) có khả năng tản nhiệt tuyệt vời, lý tưởng cho các thiết kế mật độ năng lượng cao.
• Độ tin cậy và tuân thủ: Tuân thủ RoHS, chịu được nhiệt độ đường nối cao và tải không phù hợp, bảo vệ ESD tích hợp để hoạt động ổn định lâu dài.
• Khả năng tương thích về thiết kế: Được khớp sẵn bên trong để đơn giản hóa thiết kế mạch, hỗ trợ các chế độ xung và sóng liên tục (CW), tương thích với nhiều kiến ​​trúc bộ khuếch đại công suất RF khác nhau.

Ứng dụng điển hình

• Bộ khuếch đại công suất RF trạm gốc 4G/5G ở băng tần 2.2GHz
• Mô-đun khuếch đại công suất cho máy phát TV
• Nguồn RF băng tần công nghiệp, khoa học và y tế (ISM)
• Cơ sở hạ tầng truyền thông không dây 2000–2500 MHz