Transitor RF MOSFET BLC10G27XS-400AVTZ

Nhận giá mới nhất

Đặt hàng tối thiểu:

Liên hệ với bây giờ

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Đóng gói và giao hàng

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Mẫu số: BLC10G27XS-400AVT BLC10G27XS-400AVTZ

Thương hiệu: AMPLEON

Đóng gói và giao hàng

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Mô tả sản phẩm

Transistor LDMOS công suất

Model: BLC10G27XS-400AVT (Mẫu tiêu chuẩn: BLC10G27XS-400AVTZ, Bao bì băng & cuộn)

Nhà sản xuất: Ampeon

Loại sản phẩm: Transitor công suất RF Doherty không đối xứng đóng gói 28V LDMOS thế hệ thứ 9 (Được tối ưu hóa cho các ứng dụng đa sóng mang trạm gốc 2,496–2,69 GHz)

Thông số kỹ thuật chính

Parameter	Specification
Frequency Range	2496 MHz to 2690 MHz (2.496–2.69 GHz), covering 5G NR n78/n79 and other key bands
Peak Output Power (P1dB)	400 W (Continuous Wave, CW mode), typical 46.0 dBm
Typical Power Gain	13.3 dB (Typical, in Doherty Configuration)
Typical Drain Efficiency	50%+ (Doherty Configuration, Optimized DPD Performance)
Supply Voltage (VDS)	28 V (Standard), Maximum Rated Voltage 65 V
Quiescent Drain Current (IDq)	200 mA (Typical)
Package Type	SOT1258-4 (OMP-780-4F-1), 6-lead air cavity plastic earless flanged package, enhanced thermal dissipation
Special Features	Asymmetric Doherty architecture, integrated ESD protection, low output capacitance, integrated input/output impedance transformation, user-friendly PCB matching to 50-ohm
Linearity Performance	Optimized for high Peak-to-Average Power Ratio (PAPR) 5G NR signals, excellent ACPR performance after DPD correction

Tính năng & Lợi ích

Công nghệ LDMOS thế hệ thứ 9: Sử dụng quy trình LDMOS 28V thế hệ thứ 9 được đánh giá cao trong ngành của Ampleon để cân bằng công suất và hiệu suất cao trên dải tần 2,496–2,69 GHz, lý tưởng cho các ứng dụng trạm gốc đa băng tần 5G NR.
Kiến trúc Doherty bất đối xứng: Được thiết kế đặc biệt cho các ứng dụng đa sóng mang của trạm gốc với bộ tách đầu vào và bộ kết hợp đầu ra tích hợp, tối ưu hóa hiệu suất băng thông rộng và giảm độ phức tạp trong thiết kế hệ thống.
Hiệu suất trước biến dạng kỹ thuật số (DPD) vượt trội: Được tối ưu hóa cho tín hiệu 5G NR, cho phép tuyến tính vượt trội sau khi hiệu chỉnh DPD nhằm đáp ứng các yêu cầu nghiêm ngặt về Tỷ lệ công suất kênh liền kề (ACPR) cho các trạm gốc.
Mật độ công suất cực cao: Cung cấp công suất đầu ra tối đa 400 W trong một gói nhỏ gọn với mật độ công suất dẫn đầu ngành, giảm đáng kể kích thước của mặt trước RF của trạm gốc và giảm chi phí hệ thống.
Chuyển đổi năng lượng hiệu suất cao: Hiệu suất tiêu hao điển hình vượt quá 50%, giảm đáng kể mức tiêu thụ năng lượng của trạm gốc và cải thiện độ tin cậy của hệ thống cũng như tính kinh tế khi vận hành.
Thiết kế điện dung đầu ra thấp: Tăng cường đáp ứng tần số và hiệu quả trong các ứng dụng Doherty, cải thiện khả năng thích ứng băng thông rộng và tăng hiệu suất tổng thể của hệ thống.
Bảo vệ ESD tích hợp: Cung cấp khả năng bảo vệ chống tĩnh điện tuyệt vời, tăng độ tin cậy và tuổi thọ của thiết bị.
Chuyển đổi trở kháng tích hợp: Mạng chuyển đổi trở kháng đầu vào và đầu ra tích hợp cho phép khớp PCB thân thiện với người dùng đến 50 ohm, đơn giản hóa quy trình thiết kế.
Gói có độ tin cậy cao: Gói có mặt bích bằng nhựa có khoang khí mang lại khả năng dẫn nhiệt tuyệt vời với khả năng chịu nhiệt thấp, đảm bảo hoạt động ổn định trong điều kiện tải trọng cao.
Tuân thủ RoHS: Đáp ứng các yêu cầu chỉ thị RoHS cho các ứng dụng trên thị trường toàn cầu.

Ứng dụng

Bộ khuếch đại công suất RF cho các trạm cơ sở vĩ mô/vi mô 5G NR (băng tần 2,496–2,69 GHz, ví dụ: n78/n79)
Mô-đun khuếch đại công suất trạm gốc 4G LTE đa băng tần (2496–2690 MHz)
Bộ khuếch đại công suất trong hệ thống MIMO lớn (mMIMO)
Hệ thống truyền thông đa sóng mang (ví dụ: W-CDMA, LTE-A Pro)
Cơ sở hạ tầng truyền thông không dây băng thông rộng (ví dụ: C-Band, 5G-Advanced)
Internet vạn vật công nghiệp (IIoT) và Hệ thống truyền thông mạng riêng (ví dụ: 5G-Industrial)

sản phẩm nổi bật