BLC9H10XS-60P MOSFET RF LDMOS 50V SOT1273

Thông số kỹ thuật chính (Tcase=25°C, VDS=48V, 940MHz, class‑AB)

• Dải tần số: 400 MHz ~ 1000 MHz
• Điện áp cung cấp xả (VDS): 48 V (Typ.), Max 105 VAmpleon
• Dòng điện tĩnh (IDq): 110 mA (Loại) Ampeon
• Công suất đầu ra P1dB: 60 W (47,8 dBm, Loại.)
• Tăng công suất: 16,1 dB (Loại.)
• Hiệu suất thoát nước: 11,9 % (Loại., loại AB, 1 sóng mang)
• Độ tuyến tính (ACPR):-38 dBc (Loại.)
• Đóng gói:SOT1273‑1 (4 dây dẫn, gói mặt bích không chì, tản nhiệt cao)
• Điện trở nhiệt (Nối với vỏ): 2,8 K/W
• Các tính năng:Kết hợp bên trong, bảo vệ ESD, ổn định băng thông rộng, dung sai không khớp cao (VSWR=10:1)Ampleon

Các tính năng chính

• LDMOS thế hệ thứ 9 + kiến ​​trúc đối xứng: độ lợi cao, tuyến tính và độ ổn định băng thông rộng cho tín hiệu đa sóng mang PAR cao;
• Vùng phủ sóng siêu rộng 400–1000 MHz cho các băng tần 4G LTE, 5G NR, 3G W‑CDMA, băng tần riêng/ISM；
• Thiết kế hai cực đối xứng hỗ trợ các cấu trúc liên kết một đầu/đẩy/kéo/cầu để có tính linh hoạt cao;
• Việc khớp trước đầu vào bên trong giúp đơn giản hóa các mạch bên ngoài và rút ngắn chu trình thiết kế;
• Bảo vệ ESD tích hợp + độ chắc chắn cao chịu được tải không khớp (VSWR=10:1) để có độ tin cậy cao;
• Gói màu xanh lá cây không chì (PY) tuân thủ RoHS với hiệu suất tản nhiệt vượt trộiAmpleon.

Ứng dụng điển hình

• Trình điều khiển trạm gốc macro Sub‑1GHz (400–1000 MHz) (dành cho bóng bán dẫn Doherty 350W/500W, ví dụ: BLC9H10XS-350A/500A);
• Bộ khuếch đại cuối cùng của tế bào trung bình/nhỏ 4G/5G (kịch bản tuyến tính 60W);
• Máy phát RF 50–60W băng tần ISM, không dây riêng, an toàn công cộng;
• Giai đoạn tiền khuếch đại / bộ điều khiển máy phát công suất cao đa sóng mang.

Định nghĩa số phần

• BLC: LDMOS công suất đối xứng
• 9：Quy trình LDMOS thế hệ thứ 9
• H10:Dải tần 400–1000 MHz
• XS:Phiên bản đối xứng tiêu chuẩn
• Định mức công suất 60:60W (P1dB)
• P:Gói gắn nhiệt có mặt bích
• Y:Phiên bản màu xanh lá cây không chì