BLC10G15XS-301AVT RF MOSFET LDMOS 30V

Thông số kỹ thuật chính（Tcase=25°C, VDS=30V, tín hiệu W-CDMA)

• Dải tần số: 1452 MHz ~ 1492 MHz
• Điện áp cung cấp: 30 V (Điển hình), Max 65V
• Dòng điện tĩnh: 300mA (Chính)
• Công suất đầu ra trung bình: 56,3 W (47,5dBm)
• Công suất đầu ra tối đa: 305 W (Loại.)
• Tăng công suất: 18,2 dB (Loại.)
• Hiệu suất thoát nước: 50,5% (Điển hình)
• ACPR:−27,8 dBc (Loại.)
• Suy hao phản hồi đầu vào: −14 dB (Loại.)
• Gói: SOT1275-1, gói khoang khí mặt bích không tai 6 đầu
• Điện trở nhiệt (JC):0,20~0,24 K/W
• Độ chắc chắn: Dung sai không khớp tải toàn pha 10:1 VSWR

Đặc trưng

1. Công nghệ LDMOS thế hệ thứ 10: Độ chắc chắn cao với khả năng chịu tải không khớp tuyệt vời để vận hành trạm gốc lâu dài;
2. Kiến trúc Doherty bất đối xứng tích hợp: Được tối ưu hóa cho tín hiệu đa sóng mang PAPR 5G NR & LTE cao với độ tuyến tính vượt trội;
3. Khớp trước đầu vào trên chip: Đơn giản hóa thiết kế RF bên ngoài và tăng tốc độ phát triển;
4. Hiệu ứng bộ nhớ thấp: Đảm bảo loại bỏ kênh lân cận tuyệt vời với tuyến tính hóa DPD;
5. Khả năng chịu nhiệt thấp: Cho phép vận hành ở công suất cao liên tục đáng tin cậy;
6. Bảo vệ ESD tích hợp: Nâng cao khả năng chống tĩnh điện và độ tin cậy lâu dài;
7. Tuân thủ RoHS: Đáp ứng các tiêu chuẩn môi trường.

Ứng dụng điển hình

• Bộ khuếch đại cuối cùng của trạm gốc macro cho các băng tần 5G n5 & 4G B5;
• Hệ thống phát RF đa sóng mang ở tần số 1452–1492 MHz;
• Mô-đun bộ khuếch đại công suất RF tuyến tính công suất cao.

Định nghĩa số phần

• BLC: Dòng thiết bị điện Ampleon LDMOS;
• 10G: quy trình LDMOS thế hệ thứ 10;
• 15: Dải tần 1,5GHz (1452–1492MHz);
• XS: Doherty bất đối xứng, gói tiêu chuẩn;
• 301: 300W+ công suất cực đại;
• AVT: Mặt bích không tai, gói khoang khí có khả năng tách video.