Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Việt

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Việt
Nhà> Sản phẩm> Transitor công suất RF> LDMOS nguồn HF / VHF> BLC10G22XS-602AVT MOSFET RF LDMOS 30V SOT1258
BLC10G22XS-602AVT MOSFET RF LDMOS 30V SOT1258
BLC10G22XS-602AVT MOSFET RF LDMOS 30V SOT1258
BLC10G22XS-602AVT MOSFET RF LDMOS 30V SOT1258
BLC10G22XS-602AVT MOSFET RF LDMOS 30V SOT1258
BLC10G22XS-602AVT MOSFET RF LDMOS 30V SOT1258
BLC10G22XS-602AVT MOSFET RF LDMOS 30V SOT1258

BLC10G22XS-602AVT MOSFET RF LDMOS 30V SOT1258

Nhận giá mới nhất
Đặt hàng tối thiểu:1
Thuộc tính sản phẩm

Mẫu sốBLC10G22XS-602AVT

Thương hiệuAMPLEON

Đóng gói và giao hàng

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Mô tả sản phẩm
LDMOS ĐIỆN VHF
BLC10G22XS-602AVT là bóng bán dẫn điện LDMOS RF thế hệ thứ 10 do Ampleon (Hà Lan) sản xuất, được tối ưu hóa cho các ứng dụng đa sóng mang trạm gốc macro 4G LTE và 5G NR ở băng tần 2110–2170 MHz (2,1 GHz). Nó mang lại công suất cao, hiệu quả cao, mức tăng cao và khả năng tương thích Doherty tuyệt vời.
Thông số kỹ thuật chính
  • Hãng sản xuất: Ampleon (Hà Lan)
  • Mã sản phẩm: BLC10G22XS-602AVT
  • Dải tần số: 2110–2170 MHz
  • Công suất đầu ra cực đại (PPEAK): 600 W @ 30 V
  • Điện áp cung cấp xả (VDS): 30 V
  • Tăng công suất (Gp): 15,4 dB (điển hình)
  • Hiệu suất thoát nước (ηD): 47,5% (điển hình)
  • Gói thầu: SOT1258-4 (Gốm có khoang khí, ACP)
  • Công nghệ: LDMOS thế hệ thứ 10 (Silicon)
  • Ứng dụng: Bộ khuếch đại công suất cuối cùng của trạm gốc macro băng tần 2,1 GHz (PA)
  • Tình trạng: Đang sản xuất
Đặc trưng
  1. Mật độ công suất cao: Công suất cực đại 600 W ở 30 V, cho phép thiết kế PA macro 5G hiệu suất cao.
  2. Hiệu suất cao: Hiệu suất thoát nước điển hình 47,5% giúp giảm mức tiêu thụ điện năng và tải nhiệt.
  3. Mức tăng cao: Mức tăng 15,4 dB giúp đơn giản hóa việc sắp xếp PA và giảm các giai đoạn trình điều khiển.
  4. Tối ưu hóa Doherty: Điện dung đầu ra thấp giúp nâng cao hiệu quả trong cấu hình bộ khuếch đại Doherty.
  5. Độ chắc chắn cao: Chịu được tỷ lệ VSWR không phù hợp 10:1 để vận hành đáng tin cậy trong môi trường khắc nghiệt.
  6. Khả năng chịu nhiệt thấp: Gói ACP mang lại khả năng tản nhiệt và ổn định nhiệt vượt trội.
  7. Hiệu ứng bộ nhớ thấp: Hiệu suất tiền biến dạng kỹ thuật số (DPD) tuyệt vời cho các tín hiệu được điều chế phức tạp.
  8. Kết hợp bên trong + Bảo vệ ESD: Đơn giản hóa thiết kế và cải thiện độ bền của ESD.
  9. Tuân thủ RoHS: Thân thiện với môi trường, tuân thủ các chỉ thị RoHS của EU.
Ứng dụng
  • Trạm gốc Macro 4G LTE & 5G NR: Giai đoạn khuếch đại công suất cuối cùng cho hệ thống liên lạc không dây băng tần 2,1 GHz.
  • Cơ sở hạ tầng không dây: Khuếch đại RF công suất cao để phủ sóng mạng di động và mở rộng dung lượng.
  • Bộ khuếch đại Doherty: Lý tưởng cho kiến ​​trúc Doherty PA hiệu quả cao trong các trạm cơ sở hiện đại.
Nhà> Sản phẩm> Transitor công suất RF> LDMOS nguồn HF / VHF> BLC10G22XS-602AVT MOSFET RF LDMOS 30V SOT1258
Gửi yêu cầu thông tin
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Gửi