Tụ điện chip gốm nhiều lớp RF high-Q

Thông tin cơ bản

Giải thích số phần

• 100A: Dòng tụ điện Q RF cao cấp
• 5R1: Điện dung danh nghĩa 5,1 pF
• B: Dung sai điện dung ± 0,1 pF
• W: Cấu hình gói và điện cực tiêu chuẩn
• 150: Điện áp DC định mức 150V
• XT: Hình thức đóng gói băng & cuộn

Thông số kỹ thuật điện & vật lý

• Điện dung: 5,1 pF
• Dung sai: ± 0,1 pF
• Điện áp định mức: 150 VDC
• Hệ số nhiệt độ: P90 (+90±20 ppm/°C)
• Kích thước gói hàng: 0505 (tối đa 1,4×1,4×1,45 mm)
• Hệ số Q: Trên 10.000 ở 1 MHz
• Đặc điểm: ESR & ESL cực thấp
• Nhiệt độ hoạt động: -55°C ~ +125°C
• Thi công: Cấu trúc gốm sứ kín

Các tính năng chính

1. Hệ số Q cực cao đảm bảo mất tín hiệu tối thiểu cho các mạch tần số cao
2. Độ tự cảm và điện trở ký sinh cực thấp mang lại hiệu suất RF vượt trội
3. Ổn định nhiệt độ tuyệt vời, điện dung ổn định dưới sự thay đổi nhiệt độ rộng
4. Độ bền cơ học cao và chống ẩm, tuổi thọ dài
5. Dung sai điện dung chính xác đáp ứng các yêu cầu kết hợp trở kháng nghiêm ngặt
6. Tần số tự cộng hưởng cao, lý tưởng cho ứng dụng vi sóng GHz

Ứng dụng điển hình

• Mạch đầu cuối tần số vô tuyến truyền thông 5G
• Thiết bị điện tử radar, vệ tinh và hàng không vũ trụ
• Bộ khuếch đại tiếng ồn thấp, bộ trộn, mạch dao động
• Mạng lọc RF, khớp nối, chặn DC và kết hợp trở kháng
• Dụng cụ kiểm tra và đo lường chính xác
• Hệ thống điện tử tần số cao quốc phòng và công nghiệp