BLC9H10XS-606AZ LDMOS MOSFET RF

Nhận giá mới nhất

Đặt hàng tối thiểu:

Liên hệ với bây giờ

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Đóng gói và giao hàng

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Mẫu số: BLC9H10XS-606AZ

Thương hiệu: AMPLEON

Đóng gói và giao hàng

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Mô tả sản phẩm

Phần số: BLC9H10XS-606A

Nhà sản xuất: Ampeon

Loại thiết bị: Bóng bán dẫn công suất RF 48V LDMOS thế hệ thứ 9, thiết kế Doherty bất đối xứng với khả năng khớp đầu vào tích hợp, được tối ưu hóa cho bộ khuếch đại công suất cuối cùng của trạm gốc 4G/5G dưới 1GHz.

Thông số kỹ thuật chính

Dải tần số: 616 MHz ~ 960 MHz
Điện áp cung cấp điển hình: 48 V, VDS tối đa: 105 V
Công suất đầu ra: 600 W
Tăng công suất: 18 dB (Loại.)
Hiệu suất thoát nước: 53,8% (Chế độ Doherty)
Đóng gói:SOT1250-4, gói mặt bích không tai 4 chân
Điện trở nhiệt (Nối với vỏ): 0,4 K/W
Độ chắc chắn: Dung sai không khớp tải VSWR đầy đủ 10:1
Các tính năng:Hiệu ứng bộ nhớ thấp, tương thích DPD, bảo vệ ESD tích hợp, kết hợp bên trong 50 Ω

Các tính năng chính

Áp dụng kiến trúc Doherty bất đối xứng để cân bằng hiệu quả cao và tính tuyến tính vượt trội. Vùng phủ sóng băng rộng bao phủ các băng tần di động dưới 1GHz chính thống, phù hợp với tín hiệu 5G NR/LTE băng rộng và đa sóng mang có PAR cao.

Gói mặt bích cung cấp khả năng tản nhiệt tuyệt vời và độ tin cậy vận hành cao. Mạng kết hợp tích hợp giúp đơn giản hóa việc thiết kế mạch ngoại vi và giảm chi phí phát triển.

Ứng dụng điển hình

Bộ khuếch đại công suất giai đoạn cuối của trạm gốc macro 4G / 5G RRU & AAU, bộ khuếch đại Doherty băng rộng dưới 1GHz, giao tiếp mạng riêng và bộ phát RF công suất cao an toàn công cộng.

sản phẩm nổi bật