LDMOS MOSFET RF BLC9H10XS-600A

Thông số kỹ thuật chính

• Dải tần số：616 MHz ~ 960 MHzAmpleon
• Điện áp cung cấp điển hình: 48 V, VDS tối đa: 105 V
• Công suất đầu ra: 600 W (W-CDMA đơn sóng mang)Ampleon
• Tăng công suất: 17,7 dB (Loại.)
• Hiệu suất xả: 53,9 % (Chế độ Doherty)
• Đóng gói：Gói mặt bích không tai SOT1250‑2 (4 dây dẫn)Ampleon
• Điện trở nhiệt (Điểm nối với vỏ): 0,42 K/W
• Độ chắc chắn: Khả năng chịu được toàn bộ công suất 10:1 VSWR
• Các tính năng:Hiệu ứng bộ nhớ thấp, tương thích DPD, bảo vệ ESD tích hợp, khớp đầu vào tích hợp, độ tuyến tính caoAmpleon

Các tính năng chính

• Kiến trúc Doherty bất đối xứng cân bằng giữa hiệu quả cao và tính tuyến tính tuyệt vờiAmpleon.
• Vùng phủ sóng băng rộng dưới 1GHz cho tín hiệu 5G NR và 4G LTE PAR cao, đa sóng mangAmpleon.
• Gói mặt bích đảm bảo khả năng tản nhiệt vượt trội và độ ổn định lâu dài; mạnh mẽ chống lại tải không khớpAmpleon.
• Kết hợp đầu vào tích hợp giúp giảm bớt các thành phần bên ngoài và đơn giản hóa thiết kế bộ khuếch đạiAmpleon.

Ứng dụng điển hình

• Bộ khuếch đại công suất giai đoạn cuối cho trạm gốc macro 4G/5G AAU/RRU；
• Mô-đun bộ khuếch đại công suất Doherty băng rộng dưới 1GHz;
• Mạng không dây riêng và máy phát RF công suất cao an toàn công cộngAmpleon.

Định nghĩa số phần

• BLC:Bóng bán dẫn LDMOS của trạm cơ sở gắn mặt bích
• 9：Quy trình LDMOS thế hệ thứ 9
• H: Công suất cao / cấp hiệu suất cao
• Nền tảng tần số 10:616–960 MHz
• XS:Hiệu suất cao, hiệu ứng bộ nhớ thấp
• Định mức công suất 600:600 W
• A: Cấu hình Doherty bất đối xứng