BLP9G0722-20G RF MOSFET LDMOS 28V

Nhận giá mới nhất

Đặt hàng tối thiểu:

Liên hệ với bây giờ

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Đóng gói và giao hàng

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Mẫu số: BLP9G0722-20GZ

Thương hiệu: AMPLEON

Đóng gói và giao hàng

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Mô tả sản phẩm

BLP9G0722-20G là bóng bán dẫn công suất LDMOS RF được đóng gói bằng nhựa 20W của Ampleon, hoạt động từ 100 MHz đến 2700 MHz. Nó được tối ưu hóa cho các trạm gốc không dây và bộ khuếch đại trình điều khiển RF băng thông rộng.

Ứng dụng chính

• Trạm gốc không dây: Bộ khuếch đại công suất và tầng điều khiển FDD/TDD LTE, W‑CDMA, GSM/EDGE, CDMA, WiMAX (4G/3G/2G).

• Thiết bị RF băng thông rộng: Bộ khuếch đại trình điều khiển đa năng 100 MHz–2,7 GHz, thiết bị kiểm tra, nguồn RF băng tần ISM.

• Công nghiệp & Y tế: Máy sưởi RF công suất trung bình, máy phát plasma, thiết bị RF y tế (băng tần UHF).

Thông số kỹ thuật chính

• Công suất đầu ra: 20W CW (P1dB)

• Dải tần số: 100 MHz～2700 MHz (thông thường 400 MHz–2,7 GHz)

• Tăng công suất: 17–19dB

• Hiệu suất thoát nước: 22% (điển hình)

• Điện áp cung cấp: 28V (VDS)

• Đóng gói: SOT1483‑1 (nhựa TO‑270)

• Tính năng: Băng thông rộng, hiệu suất cao, độ bền cao, khả năng chịu nhiệt thấp (≈1.1K/W), ESD tích hợp, tuân thủ RoHS.

Tổng quan chung

LDMOS 20W, 28V, băng thông rộng (100 MHz–2,7 GHz) được thiết kế cho bộ khuếch đại đầu ra/trình điều khiển trạm gốc không dây, giúp cân bằng giữa chi phí và hiệu suất.

sản phẩm nổi bật