B11G3338N81D là MMIC công suất Doherty RF tích hợp đầy đủ 3 giai đoạn được phát triển bởi Ampleon Hà Lan BV Được chế tạo bằng công nghệ LDMOS hiện đại của Ampleon, nó có kiến ​​trúc hai phần, trong đó mỗi phần tích hợp sóng mang và bóng bán dẫn đỉnh, bộ chia đầu vào, bộ kết hợp đầu ra và mạng trước trận đấu. Được thiết kế như một trình điều khiển công suất RF đa năng cho dải tần 3,3 GHz đến 3,8 GHz, nó đi kèm với gói gắn trên bề mặt PQFN, giúp đơn giản hóa đáng kể thiết kế mạch đầu cuối RF. Thông số kỹ thuật chính Công nghệ khuôn: LDMOS (Chất bán dẫn oxit kim loại khuếch tán ngang) Dải tần hoạt động: 3300 MHz đến 3800 MHz Độ tăng công suất tín hiệu nhỏ: 34 dB Công suất đầu ra ở mức nén 1 dB (PL(1dB)): 75 W / 48,8 dBm Công suất đầu ra trung bình (PL(AV)): 5 W Điện áp nguồn xả (VDS): 28 V DC Hiệu suất xả (ηD): 25% Trở kháng đầu vào: 50 Ω (khớp trên chip) Trở kháng đầu ra: 25 Ω (tích hợp trước trên chip) Đóng gói: PQFN-12x7-36, thân 12mm × 7mm, 36 chân Tín hiệu kiểm tra: CW dạng xung Trạng thái sản phẩm: Tính năng sản xuất Kiến trúc Doherty tích hợp cao: cấu trúc khuếch đại 3 giai đoạn hai phần với bộ chia đầu vào trên chip, bộ kết hợp đầu ra và mạng tiền khớp, giảm thiểu mạch ngoài. Hoạt động băng rộng: hỗ trợ băng thông tức thời 500 MHz, phù hợp với các kịch bản truyền thông đa băng tần và đa tiêu chuẩn. Độ tuyến tính cao và mức tăng cao: mang lại mức tăng công suất 34 dB để đáp ứng các yêu cầu về chuỗi trình điều khiển nhiều giai đoạn, với hiệu suất tuyến tính tuyệt vời