Mã bộ phận:BLF647PNhà sản xuất:AmpleonDanh mục：Transistor công suất RF LDMOS băng thông rộng 200W, HF đến 1500 MHz Thông số kỹ thuật Dải tần số: 0 ～ 1500 MHz (HF～UHF) Công suất đầu ra: 200 W (CW/Xung) Tăng công suất: 17,5～18 dB (Loại.) Điện áp nguồn: 32 V DC (Loại.) Điện áp nguồn thoát nước (Vds): 65 V Hiệu suất xả: 70% (Loại. @ 1300 MHz) Dòng tĩnh (Iq): 200 mA (Loại.) Đóng gói: SOT-1121A (mặt bích) Khả năng chịu nhiệt (Rth(jc)): 0,34 K/W Nhiệt độ hoạt động: -65 oC ～ +225 oC (Mối nối) Công nghệ: LDMOS (Nâng cao kênh N) Tuân thủ: Tuân thủ RoHS, Tính năng không chì Công suất cao băng thông rộng: 200W từ HF đến 1,5 GHz, lý tưởng cho thiết kế hợp nhất nhiều băng tần Độ lợi & Hiệu suất cao: Tăng 18dB, hiệu suất điển hình 70%; giảm thiểu ngân sách nhiệt và điện Độ bền tuyệt vời: Chịu được sự không phù hợp tải nghiêm trọng; hoàn hảo cho các ứng dụng công nghiệp/truyền hình có độ tin cậy cao Bảo vệ ESD tích hợp: Đơn giản hóa thiết kế ESD, cải thiện năng suất sản xuất Điều khiển dễ dàng và ổn định: Nguồn điện 32V đơn, điều khiển nguồn đơn giản; low Ciss=78pF, Crss=1.3pF để có độ ổn định tần số cao tốt Ứng dụng Máy phát sóng (FM/TV, phát sóng kỹ thuật số) Nguồn cung cấp hệ thống sưởi RF, plasma và laser công nghiệp Trạm cơ sở truyền thông/PMR: Bộ khuếch đại công suất cao VHF/UHF Khoa học/y tế: nguồn RF năng lượng cao, khuếch đại công suất xung