Tin tức mới nhất về ngành điện RF - Tháng 5 năm 2026 (Tính đến ngày 21 tháng 5)

I. Cập nhật chính của nhà sản xuất toàn cầu (Mới nhất vào tháng 5)

1. Ampleon ra mắt 5 sản phẩm mới, củng cố vị trí số 2 toàn cầu (13-20/5)

• Ngày 20 tháng 5: Ra mắt bóng bán dẫn GaN Doherty 400W được thiết kế cho các ứng dụng trạm gốc 1,5 GHz, có hiệu suất băng thông rộng tuyệt vời và cải thiện hiệu suất 5%
• Ngày 13 tháng 5: Ra mắt giai đoạn trình điều khiển Doherty MMIC kép sẵn sàng cho 6G, hỗ trợ tín hiệu PAPR cao đa sóng mang và giảm đáng kể độ phức tạp tổng thể của hệ thống
• 12/5: Ra mắt Transistor LDMOS công nghiệp 200W B10H200N20D băng tần 2GHz, độ bền cao, thích hợp cho ISM, phát thanh truyền hình và truyền thông mạng riêng
• Ngày 7-4 tháng 5: Ra mắt nền tảng trình điều khiển macro LDMOS điện áp cao 1,8-2,2 GHz/2,6 GHz với Doherty MMIC tích hợp, đơn giản hóa thiết kế PA và giảm chi phí BOM
• Ngày 29 tháng 4: Phát hành Doherty MMIC 3 giai đoạn tích hợp đầy đủ tần số 3,6-4,0 GHz dành riêng cho tế bào nhỏ 5G và MIMO lớn

2. NXP thông báo rút khỏi thị trường điện RF 5G, đóng cửa ECHO GaN Fab của Hoa Kỳ (15 tháng 5)

• Thay đổi chiến lược: Đóng cửa nhà máy sản xuất tấm wafer ECHO GaN ở Chandler, Arizona, Hoa Kỳ, ngừng sản xuất vào Quý 1 năm 2027 và rút hoàn toàn khỏi thị trường Năng lượng RF 5G
• Lý do: Việc xây dựng trạm gốc 5G thấp hơn mong đợi, ROI của nhà khai thác chậm và sự không phù hợp với chiến lược dài hạn của công ty
• Tác động: Định hình lại bối cảnh thị trường điện RF toàn cầu, với Ampleon, Wolfspeed và các nhà sản xuất nội địa Trung Quốc chuẩn bị chiếm lấy thị phần mà NXP bỏ trống

3. IPO Ban đổi mới khoa học công nghệ của Huatai Electronics được chấp nhận, có kế hoạch huy động 2,781 tỷ nhân dân tệ (17 tháng 5)

• Công nghệ cốt lõi: Công ty trong nước duy nhất có quy trình LDMOS 8 inch tự phát triển và sản xuất hàng loạt chip PA trạm gốc công suất cao; nhà sản xuất trong nước duy nhất có khả năng sản xuất hàng loạt chip cấp nguồn RF 3000W+
• Sử dụng kinh phí: 769 triệu nhân dân tệ cho R&D và công nghiệp hóa LDMOS công suất cực cao, GaN công suất cao RF và LDMOS RF nguyên khối
• Khách hàng: ZTE, Ericsson, Samsung và các nhà sản xuất thiết bị truyền thông chính thống toàn cầu khác

4. Doanh thu quý 1 của CETC Electronics tăng 79,05%, hoạt động kinh doanh GaN RF bùng nổ (30 tháng 4)

• Trình điều khiển cốt lõi: Các thiết bị GaN RF của công ty con Bowei đang được sản xuất hàng loạt cho các trạm cơ sở vĩ mô 5G trong nước và thiết bị đầu cuối internet vệ tinh, với các đơn đặt hàng điện tử quân sự tăng mạnh
• Đường cong tăng trưởng thứ hai: Các sản phẩm điện SiC đạt được sản xuất hàng loạt trong OBC của các nhà sản xuất ô tô hàng đầu
• Đồng thời được hưởng lợi từ cơ sở hạ tầng điện toán AI, với việc sản xuất hàng loạt chất nền gốm 1,6T độc quyền trong nước

II. Xu hướng công nghệ và đột phá đổi mới

1. Dải tần thử nghiệm 6G chính thức được phê duyệt, GaN trở thành công nghệ cốt lõi (11 tháng 5)

• MIIT đã phê duyệt dải tần 6425-7125 MHz để thử nghiệm 6G, đánh dấu sự chuyển đổi của 6G từ R&D kỹ thuật sang xác minh thử nghiệm
• Đồng thuận kỹ thuật: Sự đồng phát triển của giao diện người dùng GaN RF và ăng-ten MIMO quy mô cực lớn là con đường cốt lõi để 6G đạt được tốc độ dữ liệu cực cao và độ trễ cực thấp
• Cơ hội thị trường: Hệ thống RF 6G sẽ áp dụng hoàn toàn công nghệ GaN-on-SiC, thay thế các thiết bị LDMOS và GaAs truyền thống

2. Công nghệ GaN-on-Si tăng tốc độ trưởng thành, xuất hiện lợi thế về chi phí

• Infineon đã công bố Triển vọng Công nghệ GaN năm 2026, dự đoán thị trường GaN toàn cầu sẽ đạt 3 tỷ USD vào năm 2030 với tốc độ CAGR là 44%
• Công nghệ wafer GaN-on-Si 300mm giúp tăng số lượng chip trên mỗi wafer lên 2,3 lần, với chi phí dần tiệm cận công nghệ silicon truyền thống
• GaN-on-Si đang nhanh chóng thay thế LDMOS trong các hệ thống phân phối trong nhà và tế bào nhỏ nhạy cảm với chi phí

3. Thị trường năng lượng RF công nghiệp bùng nổ, LDMOS vẫn chiếm ưu thế

• Ampleon đã ra mắt LDMOS ART4K0FX hàng đầu 4kW với Công nghệ chắc chắn tiên tiến, có khả năng chịu VSWR cực cao, thích hợp cho hệ thống sưởi công nghiệp, xử lý plasma và máy gia tốc hạt
• Thiết bị GaN băng tần 2.4GHz đạt đột phá hiệu suất 66%, bắt đầu thay thế máy phát cao tần truyền thống trong thiết bị sưởi ấm công nghiệp và y tế

III. Dữ liệu thị trường và dự báo ngành

1. Quy mô thị trường bán dẫn điện RF toàn cầu

• Quy mô thị trường toàn cầu năm 2026: khoảng 9,42 tỷ USD, dự kiến ​​đạt 18,57 tỷ USD vào năm 2033 với tốc độ CAGR là 10,2%
• Thiết bị GaN chiếm 43%, trở thành phân khúc loại bán dẫn lớn nhất
• Châu Á chiếm 65% thị trường toàn cầu, trong đó riêng Trung Quốc chiếm 35%, trở thành quốc gia tiêu thụ thiết bị điện RF lớn nhất thế giới

2. Phân phối trường ứng dụng

• Cơ sở hạ tầng truyền thông: ~40% thị phần, khu vực ứng dụng lớn nhất, với nghiên cứu trước 5G-A và 6G tiếp tục thúc đẩy nhu cầu
• Quốc phòng và Hàng không vũ trụ: Hệ thống radar và thiết bị tác chiến điện tử tăng trưởng ổn định, với các radar AESA áp dụng hoàn toàn công nghệ GaN
• Truyền thông vệ tinh: Phân khúc phát triển nhanh nhất, với việc xây dựng chòm sao vệ tinh LEO thúc đẩy nhu cầu bùng nổ về thiết bị GaN
• Năng lượng RF công nghiệp: CAGR vượt quá 20%, với thiết bị sưởi ấm công nghiệp, y tế và bán dẫn là động lực chính

3. Bối cảnh cạnh tranh

• Thị trường LDMOS: Ampleon đứng đầu trên toàn cầu, với các nhà sản xuất trong nước Huatai Electronics và San'an Optoelectronics đang nhanh chóng bắt kịp
• Thị trường GaN-on-SiC: Bị thống trị bởi Wolfspeed, Ampleon và Qorvo; các nhà sản xuất trong nước San'an Integrated và HiWafer đã đạt được sản xuất hàng loạt chip GaN PA sóng milimet 0,15μm
• Thay thế trong nước: Các nhà sản xuất trong nước đã đạt được sự thay thế hoàn toàn ở thị trường từ trung cấp đến bình dân và đang đột phá vào các trạm gốc cao cấp, quân sự và lĩnh vực sóng milimet

IV. Lợi ích chính sách và ngành

1. Chất bán dẫn thế hệ thứ ba nằm trong các ngành công nghiệp chiến lược mới nổi của quốc gia

• NDRC và MIIT cùng ban hành Ý kiến ​​chỉ đạo về thúc đẩy phát triển chất lượng cao của ngành công nghiệp bán dẫn thế hệ thứ ba, hỗ trợ rõ ràng cho hoạt động R&D và công nghiệp hóa các chất bán dẫn dải rộng như GaN và SiC
• Thành lập các quỹ đặc biệt để hỗ trợ các doanh nghiệp trong nước khắc phục các nút thắt kỹ thuật cốt lõi và tăng cường khả năng kiểm soát độc lập của chuỗi công nghiệp

2. Tăng tốc xây dựng 5G-A, nhu cầu trạm gốc tăng trở lại

• Ba nhà khai thác lớn có kế hoạch xây dựng hơn 1 triệu trạm gốc 5G-A vào năm 2026, thúc đẩy nhu cầu về thiết bị nguồn RF tăng trưởng đáng kể
• Nhà điều hành mua sắm tập trung rõ ràng lấy "thông lượng trên mỗi watt điện năng tiêu thụ" làm chỉ số đánh giá cốt lõi, thúc đẩy sự thâm nhập ngày càng tăng của các thiết bị GaN hiệu quả cao

3. Tái cơ cấu chuỗi cung ứng toàn cầu mang lại cơ hội cho các nhà sản xuất trong nước

• Việc NXP rời khỏi thị trường điện 5G RF sẽ giải phóng không gian thị trường cho các nhà sản xuất trong nước
• Yếu tố địa chính trị thúc đẩy các nhà sản xuất thiết bị liên lạc trong nước tăng cường mua sắm thiết bị RF trong nước
• Ampleon, với tư cách là doanh nghiệp quốc tế hàng đầu do Trung Quốc tài trợ, đóng vai trò quan trọng trong việc thay thế trong nước